AC/DC開關電源和分布式電源結構電壓調整器模塊(VRM)
發布時間:2021/2/2 23:09:24 訪問次數:883
尺寸最大為4.0mm的大功率SMT功率電感器系列PG0084,它的電流容量可達32A,設計用于AC/DC開關電源和分布式電源結構(DPA),點負載(POL)系統和電壓調整器模塊(VRM)中的DC/DC轉換器.
產品應用包括服務器和工作站,通信交換機,路由器和基站.
PG0084系列是Pulse的最新的功率電感器,它有低的直流電阻(DCR),從0.9毫歐姆到9.0毫歐姆,電感范圍寬,從0.1到1.76微亨,有極好的熱效率,額定電流高達直流32A,飽和電流從16.5A到58.0A.
擴充的工作溫度達130度C,以及小體積和小占位面積,使它很適合用在緊湊高密度的板中.
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:6.9 A, 4.5 A Rds On-漏源導通電阻:32 mOhms, 55 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V, 2.4 V Qg-柵極電荷:19.1 nC, 21.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列: 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:4.8 ns, 25.5 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7.1 ns, 19.6 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:15.1 ns, 34.9 ns 典型接通延遲時間:5.3 ns, 8.7 ns 單位重量:74 mg
MRAM的長壽命和可靠性使它很適合用在苛刻的環境,或需要長系統壽命的地方如汽車電子和工業系統.此外還可用在軍事和航空航天系統.
4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS銅互連技術,MRAM單元是單晶體管和磁隧道結的結構,它的讀和寫時間小于50ns.
由于MRAM具有非揮發性,數據保持持久性,速度和密度的性能組合,所以它能成為通用的存儲器用在許多方面而消除了需要各種存儲器的組合.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
尺寸最大為4.0mm的大功率SMT功率電感器系列PG0084,它的電流容量可達32A,設計用于AC/DC開關電源和分布式電源結構(DPA),點負載(POL)系統和電壓調整器模塊(VRM)中的DC/DC轉換器.
產品應用包括服務器和工作站,通信交換機,路由器和基站.
PG0084系列是Pulse的最新的功率電感器,它有低的直流電阻(DCR),從0.9毫歐姆到9.0毫歐姆,電感范圍寬,從0.1到1.76微亨,有極好的熱效率,額定電流高達直流32A,飽和電流從16.5A到58.0A.
擴充的工作溫度達130度C,以及小體積和小占位面積,使它很適合用在緊湊高密度的板中.
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:6.9 A, 4.5 A Rds On-漏源導通電阻:32 mOhms, 55 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V, 2.4 V Qg-柵極電荷:19.1 nC, 21.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 系列: 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 下降時間:4.8 ns, 25.5 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7.1 ns, 19.6 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:15.1 ns, 34.9 ns 典型接通延遲時間:5.3 ns, 8.7 ns 單位重量:74 mg
MRAM的長壽命和可靠性使它很適合用在苛刻的環境,或需要長系統壽命的地方如汽車電子和工業系統.此外還可用在軍事和航空航天系統.
4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS銅互連技術,MRAM單元是單晶體管和磁隧道結的結構,它的讀和寫時間小于50ns.
由于MRAM具有非揮發性,數據保持持久性,速度和密度的性能組合,所以它能成為通用的存儲器用在許多方面而消除了需要各種存儲器的組合.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)