2kv到4kv之間的電涌進行防范漏電保護器的工作原理
發布時間:2021/2/10 16:10:30 訪問次數:950
當電氣設備受干擾產生最高電流或受到雷擊時,浪涌保護器既能及時導通分流,還能迅速將電流泄入大地,保護設備不受雷擊。
設備大小的值是dV/dt。測量的是使設備啟動的最小電壓變化率。因為低dV/dt意味著設備會在不適當的時候打開。
針對2kv到4kv之間的電涌進行防范的。雖然這些價值反映了大多數用例,但許多人覺得它們已經不夠了,特別是對于工業或高端設計。
產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:190 mA Rds On-漏源導通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:325 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 商標:Nexperia 下降時間:5 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:11 ns 典型接通延遲時間:6 ns 零件號別名:934066291215 單位重量:32 mg
晶閘管能夠提高其浪涌保護的魯棒性,其中如何確定組件的尺寸至關重要。
晶閘管在漏電保護器中的作用,當電氣設備發生漏電時,出現兩種異常現象:
三相電流的平衡遭到破壞,出現零序電流;
正常時不帶電的金屬外殼出現對地電壓(正常時,金屬外殼與大地均為零電位)。
漏電保護器的工作原理:交流脫扣式產品脫扣功率大些,額定動作時間略快些,且脫扣(跳閘)迅速、利索。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
當電氣設備受干擾產生最高電流或受到雷擊時,浪涌保護器既能及時導通分流,還能迅速將電流泄入大地,保護設備不受雷擊。
設備大小的值是dV/dt。測量的是使設備啟動的最小電壓變化率。因為低dV/dt意味著設備會在不適當的時候打開。
針對2kv到4kv之間的電涌進行防范的。雖然這些價值反映了大多數用例,但許多人覺得它們已經不夠了,特別是對于工業或高端設計。
產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:190 mA Rds On-漏源導通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:325 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET 商標:Nexperia 下降時間:5 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:11 ns 典型接通延遲時間:6 ns 零件號別名:934066291215 單位重量:32 mg
晶閘管能夠提高其浪涌保護的魯棒性,其中如何確定組件的尺寸至關重要。
晶閘管在漏電保護器中的作用,當電氣設備發生漏電時,出現兩種異常現象:
三相電流的平衡遭到破壞,出現零序電流;
正常時不帶電的金屬外殼出現對地電壓(正常時,金屬外殼與大地均為零電位)。
漏電保護器的工作原理:交流脫扣式產品脫扣功率大些,額定動作時間略快些,且脫扣(跳閘)迅速、利索。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)