改善了最容易產生電場集中問題的柵極溝槽部分的電場分布
發布時間:2023/4/21 8:58:04 訪問次數:105
ROHM將持續擴充封裝陣容，以支持更廣泛的應用。
計劃推進車載級產品的開發。隨著人們利用網絡的“云端”工作模式和生活模式的快速發展，需要進一步豐富適用于需求日益擴大的數據中心服務器以及5G基站的產品陣容。
ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎上，還將持續推進更高效率的Nch MOSFET*2開發工作，為減少應用產品的設計工時并提高可靠性和效率做出貢獻。
ROHM采用第五代微米工藝，成功開發出可支持24V輸入、－40V/－60V耐壓的低導通電阻Pch MOSFET。
福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商:Texas Instruments 產品種類:參考電壓 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 參考類型:Series References 輸出電壓:1.25 V 初始準確度:0.2 % 溫度系數:75 PPM/C 串聯VREF—輸入電壓—最大值:5.5 V 分流電流—最大值:25 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 準確性:100 uV/mA 高度:1 mm 長度:2.92 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C 產品:Voltage References 寬度:1.3 mm 商標:Texas Instruments 電源電流—最大值:50 uA 拓撲結構:Series References 工作電源電流:42 uA 產品類型:Voltage References 工廠包裝數量3000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:11.200 mg
ROHM第五代微米工藝技術，使柵極溝槽結構*4較ROHM以往產品更為細致精密，并提高了電流密度，從而在支持24V輸入的－40V/－60V耐壓Pch MOSFET領域中，實現了極為出色的單位面積低導通電阻。－40V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低62%，－60V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低52%，非常有助于應用設備的節能性與小型化。
新產品充分運用了迄今為止積累的可靠性相關的技術經驗和訣竅，優化了元件結構，同時采用新設計，改善了最容易產生電場集中問題的柵極溝槽部分的電場分布，實現了品質的大幅度提升。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
ROHM將持續擴充封裝陣容，以支持更廣泛的應用。
計劃推進車載級產品的開發。隨著人們利用網絡的“云端”工作模式和生活模式的快速發展，需要進一步豐富適用于需求日益擴大的數據中心服務器以及5G基站的產品陣容。
ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎上，還將持續推進更高效率的Nch MOSFET*2開發工作，為減少應用產品的設計工時并提高可靠性和效率做出貢獻。
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ROHM第五代微米工藝技術，使柵極溝槽結構*4較ROHM以往產品更為細致精密，并提高了電流密度，從而在支持24V輸入的－40V/－60V耐壓Pch MOSFET領域中，實現了極為出色的單位面積低導通電阻。－40V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低62%，－60V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低52%，非常有助于應用設備的節能性與小型化。
新產品充分運用了迄今為止積累的可靠性相關的技術經驗和訣竅，優化了元件結構，同時采用新設計，改善了最容易產生電場集中問題的柵極溝槽部分的電場分布，實現了品質的大幅度提升。
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