DDR5 DIMM新架構獨立的32位通道的緩沖電容器
發布時間:2021/3/17 23:59:13 訪問次數:444
ModCap 采用特殊結構設計，能最大限度減小雜散電感，整個系列的電感值均不超過 14 nH。新穎的設計還使其能靠近 IGBT 模塊安裝，最大限度縮短了引線。
加上低至 14 nH 的超低自感，可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現明顯電壓過沖。因此，一般情況下就無需額外的緩沖電容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 樹脂填充解決方案領域的豐富經驗和知識，采用智能金屬型材，可最大化自愈能力，同時能處理高電流密度并控制損耗。
制造商: Microchip
產品種類: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 詳細信息
系列: PIC18(L)F2xK40
封裝 / 箱體: QFN-28
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Microchip Technology
濕度敏感性: Yes
產品類型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 1600
子類別: Microcontrollers - MCU
商標名: PIC
單位重量: 643.841 mg
在優化DDR5 DRAM內核運算能力上，Longsys DDR5增加內置糾錯碼（ECC），全面實現數據糾錯能力，進一步提高數據完整性，同時也緩解了系統錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。
BL16使得Longsys DDR5內存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用了兩個完全獨立的32位通道，提高了并發性，并使系統中可用的內存通道增加了一倍。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
ModCap 采用特殊結構設計，能最大限度減小雜散電感，整個系列的電感值均不超過 14 nH。新穎的設計還使其能靠近 IGBT 模塊安裝，最大限度縮短了引線。
加上低至 14 nH 的超低自感，可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現明顯電壓過沖。因此，一般情況下就無需額外的緩沖電容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 樹脂填充解決方案領域的豐富經驗和知識，采用智能金屬型材，可最大化自愈能力，同時能處理高電流密度并控制損耗。
制造商: Microchip
產品種類: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 詳細信息
系列: PIC18(L)F2xK40
封裝 / 箱體: QFN-28
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Microchip Technology
濕度敏感性: Yes
產品類型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 1600
子類別: Microcontrollers - MCU
商標名: PIC
單位重量: 643.841 mg
在優化DDR5 DRAM內核運算能力上，Longsys DDR5增加內置糾錯碼（ECC），全面實現數據糾錯能力，進一步提高數據完整性，同時也緩解了系統錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。
BL16使得Longsys DDR5內存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用了兩個完全獨立的32位通道，提高了并發性，并使系統中可用的內存通道增加了一倍。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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