LPDDR部分通過包括高溫老化、高溫壓力測試、高低溫功能測試、性能測試4大類，共40多個子測試項。嚴格的測試標準為行業客戶提供高可靠性的產品。

FORESEE NAND-based MCP助力物聯網、可穿戴市場.豐富容量組合，滿足差異化需求,產品容量組合包括1Gb+1Gb、2Gb+1Gb、2Gb+2Gb和4Gb+2Gb，無論是物聯網，還是4G、5G模塊，多樣化的容量搭配可以滿足不同應用的存儲需求。

工業級溫度要求，廣泛場景應用,產品符合-40~85攝氏度工規溫度要求，能夠適應各種嚴苛的使用環境，在應用場景上擁有更多選擇。

制造商:Vishay 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:7.6 A Rds On-漏源導通電阻:29 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:17 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.5 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 系列:SI2 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.6 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:18 S 下降時間:6 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:4 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:38 ns 典型接通延遲時間:13 ns 單位重量:8 mg

嵌入式數據處理性能，展示了如何在基于經濟型微控制器的系統平臺上運行高價值的應用軟件。

我們的STM32Cube.AI生態系統使用戶能夠在很短的時間內開發出靈活的解決方案，利用我們技術團隊的支持服務克服工程挑戰，客戶可以享受更高的設計效率。

普通DNN方案已經映射到STM32豐富的產品組合內，使用戶可以有效地復制開發成果，為多個市場創建產品。在ST Live Days上運行演示應用的STM32H723 MCU完全勝任運行AI應用，因為這款產品的內核性能優異，閃存容量高達1Mbyte，提供高速片外存儲器接口，以及各種傳感器接口。