5G與WiFi高速滾降和高抑制對濾波器技術
發布時間:2021/3/24 19:51:11 訪問次數:307
nMCP(NAND-based MCP)系列產品4Gb+2Gb、2Gb+2Gb的容量組合。nMCP已然成為急劇增長的物聯網和可穿戴市場所需的理想存儲方案。
隨著物聯的廣泛應用,nMCP系列產品的市場需求越來越大,2Gb+1Gb、1Gb+1Gb的容量組合也在近期應運而生。
從行業客戶的角度上來說,不僅能夠節省PCB空間,還能減少BOM表上元器件的采購成本,進而降低整個系統的成本。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續漏極電流:15.5 A Rds On-漏源導通電阻:270 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Qg-柵極電荷:33.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標名:MDmesh 封裝:Tube 配置:Single 系列:STF15NM65N 晶體管類型:1 N-Channel 商標:STMicroelectronics 下降時間:26 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:8 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:80 ns 典型接通延遲時間:25 ns 單位重量:330 mg
對于傳統的濾波器技術,無論是寬帶濾波器(SPD/LTCC)還是窄帶濾波器(SAW/FBAR/BAW),均無法同時滿足大帶寬和高抑制的性能要求。
5G與WiFi等制式的生態共存對濾波器技術提出了新要求,例如5G n79(4400MHz-5000MHz)和WiFi(5150MHz-5850MHz)頻帶.
各自擁有超過600MHz以上的大帶寬,且過渡帶間隔只有150MHz,兩個制式如需同時工作且不發生相互干擾,不僅要濾波器實現超大帶寬,也同時需要高速滾降和高抑制,傳統濾波器技術均無法實現。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
nMCP(NAND-based MCP)系列產品4Gb+2Gb、2Gb+2Gb的容量組合。nMCP已然成為急劇增長的物聯網和可穿戴市場所需的理想存儲方案。
隨著物聯的廣泛應用,nMCP系列產品的市場需求越來越大,2Gb+1Gb、1Gb+1Gb的容量組合也在近期應運而生。
從行業客戶的角度上來說,不僅能夠節省PCB空間,還能減少BOM表上元器件的采購成本,進而降低整個系統的成本。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續漏極電流:15.5 A Rds On-漏源導通電阻:270 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Qg-柵極電荷:33.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標名:MDmesh 封裝:Tube 配置:Single 系列:STF15NM65N 晶體管類型:1 N-Channel 商標:STMicroelectronics 下降時間:26 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:8 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:80 ns 典型接通延遲時間:25 ns 單位重量:330 mg
對于傳統的濾波器技術,無論是寬帶濾波器(SPD/LTCC)還是窄帶濾波器(SAW/FBAR/BAW),均無法同時滿足大帶寬和高抑制的性能要求。
5G與WiFi等制式的生態共存對濾波器技術提出了新要求,例如5G n79(4400MHz-5000MHz)和WiFi(5150MHz-5850MHz)頻帶.
各自擁有超過600MHz以上的大帶寬,且過渡帶間隔只有150MHz,兩個制式如需同時工作且不發生相互干擾,不僅要濾波器實現超大帶寬,也同時需要高速滾降和高抑制,傳統濾波器技術均無法實現。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)