AC/DC適配器的次級側同步整流使用氮化鎵器件
發布時間:2021/3/25 13:14:36 訪問次數:1181
S32K3能很好的保證軟件在無線更新過程中的安全性。智能存儲器設計支持在正常運行時下載更新,而自動地址映射功能無需重新配置軟件。
借助這些特性,重置后能夠即時切換到新軟件版本,原始軟件作為回滾選項保留下來。
S32K3系列提供從512KB到8MB閃存的可擴展性,包含多達3個Arm® Cortex® M7內核。此外,這是恩智浦首款采用突破性MaxQFP封裝的MCU,與標準QFP相比,占用空間減少多達55%。
S32K3將可擴展的硬件和易于使用的軟件相結合,旨在加速實現下一代汽車功能的創新。
制造商:MaxLinear 產品種類:RS-422/RS-485 接口 IC RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 系列:SP3494 功能:Transceiver 數據速率:2.5 Mb/s 激勵器數量:1 Driver 接收機數量:1 Receiver 電源電壓-最小:3.135 V 電源電壓-最大:3.465 V 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 輸入電壓:- 7 V to 12 V 輸出電流:250 mA 輸出電壓:1.5 V to 3.3 V 產品:RS-422/RS-485 Transceivers 類型:Transceiver 商標:MaxLinear 關閉:Shutdown 雙工:Half Duplex ESD 保護:2 kV Pd-功率耗散:600 mW 產品類型:RS-422/RS-485 Interface IC 傳播延遲時間:45 ns, 70 ns 支持協議:RS-422, RS-485 工廠包裝數量:2500 子類別:Interface ICs
在AC/DC適配器的次級側同步整流使用氮化鎵器件,可實現非常明顯的性能優勢。
相比采用具有相等導通電阻的硅MOSFET器件的解決方案,采用氮化鎵器件并在1 MHz頻率開關的400 V/48 V轉換器的功耗只是六分之一,而且其工作溫度也低出10℃,從而讓設計人員能夠滿足高端計算領域的嚴格能效標準。
EPC9098開發板的最大器件電壓為170 V、最大輸出電流為25 A、帶有板載柵極驅動器的半橋電路并采用EPC2059氮化鎵場效應晶體管。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
S32K3能很好的保證軟件在無線更新過程中的安全性。智能存儲器設計支持在正常運行時下載更新,而自動地址映射功能無需重新配置軟件。
借助這些特性,重置后能夠即時切換到新軟件版本,原始軟件作為回滾選項保留下來。
S32K3系列提供從512KB到8MB閃存的可擴展性,包含多達3個Arm® Cortex® M7內核。此外,這是恩智浦首款采用突破性MaxQFP封裝的MCU,與標準QFP相比,占用空間減少多達55%。
S32K3將可擴展的硬件和易于使用的軟件相結合,旨在加速實現下一代汽車功能的創新。
制造商:MaxLinear 產品種類:RS-422/RS-485 接口 IC RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 系列:SP3494 功能:Transceiver 數據速率:2.5 Mb/s 激勵器數量:1 Driver 接收機數量:1 Receiver 電源電壓-最小:3.135 V 電源電壓-最大:3.465 V 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 輸入電壓:- 7 V to 12 V 輸出電流:250 mA 輸出電壓:1.5 V to 3.3 V 產品:RS-422/RS-485 Transceivers 類型:Transceiver 商標:MaxLinear 關閉:Shutdown 雙工:Half Duplex ESD 保護:2 kV Pd-功率耗散:600 mW 產品類型:RS-422/RS-485 Interface IC 傳播延遲時間:45 ns, 70 ns 支持協議:RS-422, RS-485 工廠包裝數量:2500 子類別:Interface ICs
在AC/DC適配器的次級側同步整流使用氮化鎵器件,可實現非常明顯的性能優勢。
相比采用具有相等導通電阻的硅MOSFET器件的解決方案,采用氮化鎵器件并在1 MHz頻率開關的400 V/48 V轉換器的功耗只是六分之一,而且其工作溫度也低出10℃,從而讓設計人員能夠滿足高端計算領域的嚴格能效標準。
EPC9098開發板的最大器件電壓為170 V、最大輸出電流為25 A、帶有板載柵極驅動器的半橋電路并采用EPC2059氮化鎵場效應晶體管。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)