電壓開關(ZVS)技術大幅降低MOSFET和整流器的開關損耗
發布時間:2021/4/10 17:30:22 訪問次數:788
單片1G位AND閃存，其寫入速度達到每秒10M字節。
根據其專有的輔助柵AND型(AG-AND)多層單元的閃存技術，HN29V1G91存儲器芯片能在大約13秒內記錄128M字節的數據，相當于兩小時CD質量的MP3音樂。
它也適用于高檔數碼相機，以產生高分辨率的圖像大文件和提供活動圖像。
HN29V1G91的其它應用包括手機和有無線功能的PDA，能接收寬帶發送的圖像以及工業應用的高性能固態數據設備。
制造商:Infineon 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:330 mW 增益帶寬產品fT:250 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 高度:1 mm 長度:2.9 mm 技術:Si 寬度:1.3 mm 商標:Infineon Technologies 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors 子類別:Transistors 單位重量:1.438 g
TI公司的SLK2504 SONET/SDH收發器把16通道622Mbps數據合并成四個獨立的OC-48通道，兩個冗余的OC-48通道，或一個OC-192通道。
和光互聯論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標準兼容，該器件用0.18微米CMOS工藝，以達到成本效率的集成度和低功耗。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
單片1G位AND閃存，其寫入速度達到每秒10M字節。
根據其專有的輔助柵AND型(AG-AND)多層單元的閃存技術，HN29V1G91存儲器芯片能在大約13秒內記錄128M字節的數據，相當于兩小時CD質量的MP3音樂。
它也適用于高檔數碼相機，以產生高分辨率的圖像大文件和提供活動圖像。
HN29V1G91的其它應用包括手機和有無線功能的PDA，能接收寬帶發送的圖像以及工業應用的高性能固態數據設備。
制造商:Infineon 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT) 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發射極最大電壓 VCEO:45 V 集電極—基極電壓 VCBO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:330 mW 增益帶寬產品fT:250 MHz 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 高度:1 mm 長度:2.9 mm 技術:Si 寬度:1.3 mm 商標:Infineon Technologies 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors 子類別:Transistors 單位重量:1.438 g
TI公司的SLK2504 SONET/SDH收發器把16通道622Mbps數據合并成四個獨立的OC-48通道，兩個冗余的OC-48通道，或一個OC-192通道。
和光互聯論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標準兼容，該器件用0.18微米CMOS工藝，以達到成本效率的集成度和低功耗。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
