10Gbps速率的和各種系統標準如OC-192/STM-64 SONET/SDH, Quad OC-48/STM-16 10 Gbps以太網和10 Gbps OTN的線路接口。

嵌入帶可編M/N乘法器/除法器的PLL在線路側和系統側之間提供靈活的數據速率轉換。

這款芯片只需采用兩個電源，一個為核心與模擬系統提供 1.8 伏 ，而另一個則為模擬系統與輸入/輸出提供 2.5 伏。

線路側提供多線路頻率的16位LVDS數據，支持高達667MHz的頻率，它取決于系統的標準。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    PG-TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續漏極電流:    149 A    

Rds On-漏源導通電阻:    2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    44 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   70 S  

下降時間:   4.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   6.8 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   28 ns  

典型接通延遲時間:   5.4 ns  

零件號別名:  SP000792362 BSZ19N3LSXT BSZ019N03LSATMA1  

單位重量:  100 mg

GigPHYTER V 芯片最適用于 10/100/1000 Mbps 的以太網局域網 (LAN)。

這款芯片可通過外部變壓器直接與雙絞線媒體連接，也可通過 IEEE 802.3u 標準媒體獨立接口 (MII) 及 IEEE 802.3z 千兆位 GMII 直接與媒體存取控制器 (MAC) 連接。

電纜長度可超過 IEEE 的規定，以便質素較差的網絡電纜有較大的承受能力及較大的空間可以發揮更高的性能。

國家半導體今后推出的新一代千兆位以太網物理層芯片將全部采用 GigPHYTER V 的這種設計。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）