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SRAM的高性能無阻塞128X128 I/O開關矩陣

發布時間:2021/4/13 8:52:39 訪問次數:339

交叉開關OCX256,它被Chyron公司的Pro-Bel部門用在它們的天狼星路由器創新系列。

OXC256是基于SRAM的高性能無阻塞128X128 I/O開關矩陣,每端口傳輸667Mbps數據帶寬。這種CMOS器件有高端口數,低功耗,快速配置,以實現先進的交換解決方案。

對于高帶寬的應用,特殊廣播模式以最大數據速率把單一輸入連接到多個輸出,而RapidConfigureTM并行接口使開關連接快速形成。

OCX256能立即在任一輸入端和輸出端發送寬帶視頻和音頻信號,而不用外接轉換設備。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續漏極電流:    10.9 A    

Rds On-漏源導通電阻:    146 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    11.4 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   7 S  

下降時間:   4 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   4 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   11 ns  

典型接通延遲時間:   6 ns  

零件號別名:  BSZ16DN25NS3 G SP000781800  

單位重量:  36.110 mg  

這款功能齊備的 GigPHYTER V 單通道以太網物理層芯片可支持 10BASE-T、100BASE-TX 及 1000BASE-T 等以太網協議,確保目前的快速以太網應用方案可在符合成本效益的基礎上輕易升級。

GigPHYTER V 芯片采用創新的設計,使管芯體積可以大幅縮小,遠比采用傳統架構的物理層芯片為小。

GigPHYTER V 芯片具有模擬前端處理能力,因此芯片所需的數據總線帶寬便可以大幅減少,而另一方面其動態范圍又可大幅擴大,有助精簡數字信號處理器的設計以及縮小其體積。

GigPHYTER V芯片在典型的操作情況下只需1.1W的功耗,因此無需采用具有較高導熱能力的昂貴封裝。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


交叉開關OCX256,它被Chyron公司的Pro-Bel部門用在它們的天狼星路由器創新系列。

OXC256是基于SRAM的高性能無阻塞128X128 I/O開關矩陣,每端口傳輸667Mbps數據帶寬。這種CMOS器件有高端口數,低功耗,快速配置,以實現先進的交換解決方案。

對于高帶寬的應用,特殊廣播模式以最大數據速率把單一輸入連接到多個輸出,而RapidConfigureTM并行接口使開關連接快速形成。

OCX256能立即在任一輸入端和輸出端發送寬帶視頻和音頻信號,而不用外接轉換設備。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    250 V    

Id-連續漏極電流:    10.9 A    

Rds On-漏源導通電阻:    146 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    11.4 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    62.5 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   7 S  

下降時間:   4 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   4 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   11 ns  

典型接通延遲時間:   6 ns  

零件號別名:  BSZ16DN25NS3 G SP000781800  

單位重量:  36.110 mg  

這款功能齊備的 GigPHYTER V 單通道以太網物理層芯片可支持 10BASE-T、100BASE-TX 及 1000BASE-T 等以太網協議,確保目前的快速以太網應用方案可在符合成本效益的基礎上輕易升級。

GigPHYTER V 芯片采用創新的設計,使管芯體積可以大幅縮小,遠比采用傳統架構的物理層芯片為小。

GigPHYTER V 芯片具有模擬前端處理能力,因此芯片所需的數據總線帶寬便可以大幅減少,而另一方面其動態范圍又可大幅擴大,有助精簡數字信號處理器的設計以及縮小其體積。

GigPHYTER V芯片在典型的操作情況下只需1.1W的功耗,因此無需采用具有較高導熱能力的昂貴封裝。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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