用于中心局DSLAM線路卡上的ADSL芯片組，每端口只消耗340mW和需要低于一平方英吋的面積，是業界中最小的。

芯片組共有兩片，可提供高達12Mbps的速率，同時增加服務范圍50%。該芯片組支持全球ADSL標準，包括Annex A, B, C, H,和G.992.1/.2

電壓反饋(VFB)運算放大器THS4271/5，采用該公司第二代互補雙極工藝技術制造，在30MHz的頻率，它的總失真(THD)為-90dB,是業界中最低的。

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TSDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    30 V    

Id-連續漏極電流:    149 A    

Rds On-漏源導通電阻:    2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    44 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

長度:   3.3 mm  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   3.3 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   70 S  

下降時間:   4.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   6.8 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   28 ns  

典型接通延遲時間:   5.4 ns  

零件號別名:  BSZ019N03LS SP000792362  

單位重量:  120 mg  

16位低功耗逐次逼近模數轉換器(ADC)MAX1165/MAX1166，它具有自動降功耗功能，工廠調整好內部時鐘和16位寬(MAX1165)或字節寬(MAX1166)并行接口等性能。

器件工作在單電源4.75V-5.25V模擬電壓和2.7V-5.25V數字電壓。

MAX1165/MAX1166采用內部或外部的基準電壓源4.096V，取樣速率為165ksps時，用外部基準電壓源僅消耗1.8mA電流，用內部基準電壓源為2.7mA。

MAX1165/MAX1166很適合用在高性能，以電池為能源和數據采集的應用。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）