交流電變成脈動直流電整流二極管具有明顯單向導電性
發布時間:2023/3/25 23:04:15 訪問次數:48
16個平行通道和4100多個相關器提供快速的衛星信號捕獲以及很短的啟動時間。-140dBm的捕獲靈敏度以及-155dBm的追蹤靈敏度使其即使在惡劣的環境下也具有很好的性能。
THS7319是集成了濾波器的非常低功耗的單電源(2.6V-5V)三路視頻放大器.
LT3070是5A低噪音可編輸出85mV壓降的線性穩壓器,具有低壓超快UltraFast的瞬態響應特性, 0.01μF旁路電容能降低輸出電壓噪音到25uVRMS.
1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP電源,ASIC和微處理器電源,服務器和存儲設備電源.
具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 50 A, 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.15 mm
長度: 6 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 46 S, 90 S
下降時間: 1.4 ns, 2.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.7 ns, 4.3 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延遲時間: 4.3 ns, 5.6 ns
零件號別名: SP001075902 BSG0811NDATMA1
單位重量: 230 mg
ADP2114是多功能同步降壓開關電源穩壓器,它的兩個PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A輸出,可選擇開關頻率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高達2MHz,效率高達95%,輸入電壓從2.7V到5.5V,可選擇固定輸出電壓0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可調輸出電壓(低至0.6V).
具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.
一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多,小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺整流二極管在μA數量級,當整流二極管溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目也會增加。
整流二整流二極管極管可以利用PN結的單向導電特性,把交流電變成脈動直流電,整流二極管具有明顯的單向導電性,整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造,硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好,整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
16個平行通道和4100多個相關器提供快速的衛星信號捕獲以及很短的啟動時間。-140dBm的捕獲靈敏度以及-155dBm的追蹤靈敏度使其即使在惡劣的環境下也具有很好的性能。
THS7319是集成了濾波器的非常低功耗的單電源(2.6V-5V)三路視頻放大器.
LT3070是5A低噪音可編輸出85mV壓降的線性穩壓器,具有低壓超快UltraFast的瞬態響應特性, 0.01μF旁路電容能降低輸出電壓噪音到25uVRMS.
1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP電源,ASIC和微處理器電源,服務器和存儲設備電源.
具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TISON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 50 A, 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.15 mm
長度: 6 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 46 S, 90 S
下降時間: 1.4 ns, 2.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.7 ns, 4.3 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延遲時間: 4.3 ns, 5.6 ns
零件號別名: SP001075902 BSG0811NDATMA1
單位重量: 230 mg
ADP2114是多功能同步降壓開關電源穩壓器,它的兩個PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A輸出,可選擇開關頻率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高達2MHz,效率高達95%,輸入電壓從2.7V到5.5V,可選擇固定輸出電壓0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可調輸出電壓(低至0.6V).
具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.
一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多,小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺整流二極管在μA數量級,當整流二極管溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目也會增加。
整流二整流二極管極管可以利用PN結的單向導電特性,把交流電變成脈動直流電,整流二極管具有明顯的單向導電性,整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造,硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好,整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)