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交流電變成脈動直流電整流二極管具有明顯單向導電性

發布時間:2023/3/25 23:04:15 訪問次數:48

16個平行通道和4100多個相關器提供快速的衛星信號捕獲以及很短的啟動時間。-140dBm的捕獲靈敏度以及-155dBm的追蹤靈敏度使其即使在惡劣的環境下也具有很好的性能。

THS7319是集成了濾波器的非常低功耗的單電源(2.6V-5V)三路視頻放大器.

LT3070是5A低噪音可編輸出85mV壓降的線性穩壓器,具有低壓超快UltraFast的瞬態響應特性, 0.01μF旁路電容能降低輸出電壓噪音到25uVRMS.

1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP電源,ASIC和微處理器電源,服務器和存儲設備電源.

具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.


制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續漏極電流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

長度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 46 S, 90 S

下降時間: 1.4 ns, 2.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4.7 ns, 4.3 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延遲時間: 4.3 ns, 5.6 ns

零件號別名: SP001075902 BSG0811NDATMA1

單位重量: 230 mg

ADP2114是多功能同步降壓開關電源穩壓器,它的兩個PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A輸出,可選擇開關頻率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高達2MHz,效率高達95%,輸入電壓從2.7V到5.5V,可選擇固定輸出電壓0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可調輸出電壓(低至0.6V).

具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.

一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多,小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺整流二極管在μA數量級,當整流二極管溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目也會增加。

整流二整流二極管極管可以利用PN結的單向導電特性,把交流電變成脈動直流電,整流二極管具有明顯的單向導電性,整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造,硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好,整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


16個平行通道和4100多個相關器提供快速的衛星信號捕獲以及很短的啟動時間。-140dBm的捕獲靈敏度以及-155dBm的追蹤靈敏度使其即使在惡劣的環境下也具有很好的性能。

THS7319是集成了濾波器的非常低功耗的單電源(2.6V-5V)三路視頻放大器.

LT3070是5A低噪音可編輸出85mV壓降的線性穩壓器,具有低壓超快UltraFast的瞬態響應特性, 0.01μF旁路電容能降低輸出電壓噪音到25uVRMS.

1MHz的35dB,可用于FPGA和DSP電源,ASIC和微處理器電源,服務器和存儲設備電源.

具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.


制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V

Id-連續漏極電流: 50 A, 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms, 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 5.6 nC, 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W, 6.25 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.15 mm

長度: 6 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 46 S, 90 S

下降時間: 1.4 ns, 2.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4.7 ns, 4.3 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 4.3 ns, 8.8 ns

典型接通延遲時間: 4.3 ns, 5.6 ns

零件號別名: SP001075902 BSG0811NDATMA1

單位重量: 230 mg

ADP2114是多功能同步降壓開關電源穩壓器,它的兩個PWM通路可以配置成2A和2A或3A和1A或4A輸出,可選擇開關頻率300kHz, 600kHz,1.2MHz或高達2MHz,效率高達95%,輸入電壓從2.7V到5.5V,可選擇固定輸出電壓0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V或可調輸出電壓(低至0.6V).

具有過流和熱過載保護,外幣部可編程軟起動. ADP2114可用在點負載穩壓器,通信和網絡系統,消費類電子,工業和儀表測試與醫療.

一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多,小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺整流二極管在μA數量級,當整流二極管溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目也會增加。

整流二整流二極管極管可以利用PN結的單向導電特性,把交流電變成脈動直流電,整流二極管具有明顯的單向導電性,整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造,硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好,整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達到全波整流需連成整流橋使用。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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