X-波段產品組合提供支持多級增益的解決方案，從而減少發射鏈路中所需要的器件數量。

它們包括了不同的功率等級以優化系統性能，并提供多種平臺以優化系統架構。瀏覽表1，了解更多產品細節和性能數據。

四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件.

進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監測和新興的無人機系統雷達等在內的脈沖和連續波 X-波段相控陣應用。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    25 V    

Id-連續漏極電流:    50 A, 50 A    

Rds On-漏源導通電阻:    2.4 mOhms, 3.2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 16 V, + 16 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.6 V    

Qg-柵極電荷:    5.6 nC, 20 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W, 6.25 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Dual  

高度:   1.15 mm  

長度:   6 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   46 S, 90 S  

下降時間:   1.4 ns, 2.6 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   4.7 ns, 4.3 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   4.3 ns, 8.8 ns  

典型接通延遲時間:   4.3 ns, 5.6 ns  

零件號別名:  SP001075902 BSG0811NDATMA1  

單位重量:  230 mg  

在測試應用中，EtherCAT系統可節省高達10%的總體擁有成本（TCO），并提高30％的生產率。

B3292P/Q系列取得UL和EN認證，引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種，根據容值的大小，可選擇不同的引線間距。

此外，電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級要求。

2顆3K級圖像傳感器外，后續思特威還將有更多系列產品面世，包括近紅外增強及星光級系列的產品，以更好地滿足不同客戶應用的多元化及差異化需求。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）