普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅動電壓為5V，而其柵極-源極間額定電壓為6V，其電壓裕度非常小，只有1V。

一旦超過器件的額定電壓，就可能會發生劣化和損壞等可靠性方面的問題，這就需要對柵極驅動電壓進行高精度的控制，因此，這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問題。

針對這種課題，ROHM通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提高到了業內超高的8V。

集成電路（IC）

數據采集 - 模數轉換器（ADC）

制造商

Texas Instruments

系列

包裝

管件

零件狀態

停產

位數

16

采樣率（每秒）

40k

輸入數

1

輸入類型

單端

數據接口

SPI，并聯

配置

S/H-ADC

比率 - S/H:ADC

1：1

架構

SAR

參考類型

外部，內部

電壓 - 供電，模擬

5V

電壓 - 供電，數字

5V

特性

工作溫度

-40°C ~ 85°C

封裝/外殼

28-DIP（0.300""，7.62mm）

供應商器件封裝

28-PDIP

安裝類型

通孔

A/D 轉換器數

1

基本產品編號

ADS7807

ROHM利用自有的結構，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規的6V提高到了8V，這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設計裕度和可靠性。

這使器件工作時的電壓裕度達到普通產品的三倍，在開關工作過程中即使產生了超過6V的過沖電壓，器件也不會劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。

這種封裝不僅可以通過更低的寄生電感更好地發揮出器件的性能，還使產品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性，從而可以使現有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）