ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW
發布時間:2021/4/15 0:25:46 訪問次數:285
ASB75系列具有基板冷卻功能，因此能夠在密封金屬外殼中使用被動冷壁冷卻將熱量傳遞到設備外部。還可選擇預裝或單獨提供散熱片，以允許設計者在首選的情況下使用傳統對流或強制空氣冷卻。
高達90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產生，并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工業標準半磚封裝內實現20W/in3的出色功率密度。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰性的現代效率標準。
軍用電子/ C41SR
航空電子
地面防御
導彈防御
空間
150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的,高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。
在服務器系統等領域，由于IoT設備的需求日益增長，功率轉換效率的提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發展與進步。
ROHM一直在大力推動業內先進的SiC元器件和各種具有優勢的硅元器件的開發與量產，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
ASB75系列具有基板冷卻功能，因此能夠在密封金屬外殼中使用被動冷壁冷卻將熱量傳遞到設備外部。還可選擇預裝或單獨提供散熱片，以允許設計者在首選的情況下使用傳統對流或強制空氣冷卻。
高達90%的效率水平可最大限度地減少不必要的熱量產生，并在一個僅為2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工業標準半磚封裝內實現20W/in3的出色功率密度。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰性的現代效率標準。
軍用電子/ C41SR
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地面防御
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空間
150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的,高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。
在服務器系統等領域，由于IoT設備的需求日益增長，功率轉換效率的提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發展與進步。
ROHM一直在大力推動業內先進的SiC元器件和各種具有優勢的硅元器件的開發與量產，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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