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磁珠L-C濾波器輸出電壓波紋降低到10μVRMS以下

發布時間:2021/4/16 12:29:47 訪問次數:390

TPS6291x系列產品是高效率低噪音和低波紋同步降壓轉換器,非常適合用在對噪音敏感的應用如通常用LDO作為后穩壓器的地方比如高速ADC,時鐘和抖動清初器,串行化器,并行化器和雷達應用.

為連進一步降低輸出電壓的波紋,器件集成了回路補償,和可選擇的第二級磁珠L-C濾波器工作,這使得輸出電壓波紋降低到10 μVRMS以下.

低頻率噪音電平,和低噪音LDO器件相仿,通過采用連接到NR/SS引腳的電容對內部電壓基準來獲得.TPS6291x器件是固定頻率電流模式轉換器.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.8 mOhms, 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 10 nC, 18.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 32 S, 43 S

下降時間: 3 ns, 2.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.8 ns, 3.6 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns, 19 ns

典型接通延遲時間: 4.7 ns, 4.1 ns

零件號別名: SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1

單位重量: 96.560 mg

GaN晶體管開關性能出色,工作頻率更高,能效更高,散熱發熱更少,設計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器,設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。

MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲,例如,有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。

內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護,可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

TPS6291x系列產品是高效率低噪音和低波紋同步降壓轉換器,非常適合用在對噪音敏感的應用如通常用LDO作為后穩壓器的地方比如高速ADC,時鐘和抖動清初器,串行化器,并行化器和雷達應用.

為連進一步降低輸出電壓的波紋,器件集成了回路補償,和可選擇的第二級磁珠L-C濾波器工作,這使得輸出電壓波紋降低到10 μVRMS以下.

低頻率噪音電平,和低噪音LDO器件相仿,通過采用連接到NR/SS引腳的電容對內部電壓基準來獲得.TPS6291x器件是固定頻率電流模式轉換器.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.8 mOhms, 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 10 nC, 18.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 32 S, 43 S

下降時間: 3 ns, 2.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.8 ns, 3.6 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns, 19 ns

典型接通延遲時間: 4.7 ns, 4.1 ns

零件號別名: SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1

單位重量: 96.560 mg

GaN晶體管開關性能出色,工作頻率更高,能效更高,散熱發熱更少,設計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器,設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。

MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲,例如,有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。

內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護,可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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