器件工作的開關頻率2.2MHz或1MHz,并和外接時鐘同步.

128×96（12288像素）分辨率的熱像儀擁有-20至300°C（-4至572°F）的較大溫度范圍，這是對原FLIR C2的一項重大升級。

它雖然是FLIR的入門級C系列熱像儀，但依舊具備強大的功能，例如FLIR Ignite和MSX，以及專業報告功能，可以通過FLIR Thermal Studio對問題和維修進行圖像歸檔。

主要用在機架服務器和刀片服務器,硬件加速器和插入卡,數據中心交換以及工業PC.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 38 S, 70 S

下降時間: 2.4 ns, 3.6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.4 ns, 5 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 12 ns, 25 ns

典型接通延遲時間: 1.8 ns, 5 ns

零件號別名: BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1

單位重量: 101.600 mg

MasterGaN4原型開發板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補信號驅動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調的死區時間發生器。

用戶可以靈活地施加一個單獨輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅動器電源軌，以及使用一個低邊電流采樣電阻設計峰值電流模式拓撲。

MasterGaN4現已投產，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）