5V和3V版本均支持用于航天、通信和導航系統以及工業高爐和鐵路控制系統的引導代碼、數據記錄和校準數據存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統。

新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。

我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規范的高可靠性工業用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環境提供解決方案。

英飛凌的nvSRAM技術將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術相結合。

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

22A（Ta）. 40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

1.9 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

44nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

2800pF @ 15V

基本產品編號

BSZ019

使用兩個常開（SPST/A型）高壓繼電器，確保其中任何一個開關在閉合前另一個開關總是先斷開。

相比于用一個繼電器的方案，用兩個繼電器就需要兩倍的PCB空間，而且容易造成復雜的驅動問題。另外，如果其中任何一個SPST繼電器觸點粘連了，就會有信號短路的意外風險。

Pickering的新款67-1-C高電壓舌簧繼電器能夠在單獨一個緊湊的元器件內確保實現先斷后合 (Break-Before-Make)的操作。

67系列新款轉換繼電器在最高100W的功率下額定截止電壓最高5kV，開關電壓最高2.5kV。