儀器與 Keysight OpenTAP軟件集成在同一個平臺中，可提供高效的功能測試測量；其 PXI 體系結構設計可支持是德科技和第三方的儀器。

超低功耗微控制器STM32U5*系列，以滿足穿戴、個人醫療、家庭自動化和工業傳感器等對低功耗有嚴格高要求的智能應用設備。

STM32 MCU基于高效節能的Arm®Cortex®-M處理器處于市場領先，已經被廣泛應用于家電、工業控制、計算機外設、通信設備、智慧城市及基礎設施等數十億個設備中。

分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

2 N 溝道（雙）非對稱型

FET 功能

邏輯電平柵極，4.5V 驅動

漏源電壓（Vdss）

30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

17A，32A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

10nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

1160pF @ 15V

功率 - 最大值

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

8-PowerTDFN

供應商器件封裝

PG-TISON-8

基本產品編號

BSC0924

環境與出口分類

屬性 描述

RoHS 狀態 符合 ROHS3 規范

濕氣敏感性等級 (MSL) 1（無限）

REACH 狀態 非 REACH 產品

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

地彈電壓會造成驅動器輸入端等效出現負電壓，因為內部等效體二極管，大多數柵極驅動器能夠承受一定的負壓脈沖。然而，亦有必要采取預防措施，以防止驅動器輸入端的過沖和欠壓尖峰過大，而對驅動芯片造成損壞，或產生誤動作。

從上面等式可以看出，負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。

在典型的低邊柵極驅動電路中，雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考，但一些情況下，由于驅動器和控制器有一定距離，所以總會存在寄生電感。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）