Qorvo®新品QPF4516B Wi-Fi 6前端模塊 (FEM)。

這是一款高度集成的5mm×3mm FEM產品,設計用于Wi-Fi 6 (802.11ax) 應用，可顯著加快無線下載/上傳速度、提高數據傳輸容量、改善人流擁擠場所的無線網絡連接質量以及延長物聯網 (IoT) 客戶端設備的電池續航時間,非常適合用于多種Wi-Fi 6應用，包括無線路由器、客戶經營場所設備和無線接入點。

Qorvo QPF4516B FEM集成了一個5.0GHz功率放大器、一個單刀雙擲 (SPDT) 開關和一個帶旁路的低噪聲放大器。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續漏極電流: 15.2 A

Rds On-漏源導通電阻: 77 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 62.5 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 8 S

下降時間: 3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 10 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

零件號別名: BSC9N2NS3GXT SP000781780 BSC900N20NS3GATMA1

單位重量: 100 mg

新系列微控制器引入了一個創新的自控模式，可以讓直接存儲訪問(DMA)控制器和外圍設備在大多數設備休眠時保持正常工作，以節省電能。精細的操作模式控制可以關閉MCU的部分內存，避免給閑置單元供電。

新產品還傳承了上一代超低功耗MCU STM32L0，STM32L4和STM32L5的成功的產品特性，包括根據工作負荷優化能耗的動態電壓調節和高效讀取閃存的ST ART Accelerator™訪存加速技術，并且現在，除內存外， ST ART Accelerator的最新功能還允許讀取MCU外部閃存。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）