STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅動器,驅動電流4A和軌到軌輸出.

器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關.配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發生.

兩種配置提供了高度靈活性,降低外接元件的材料清單(BOM).器件的高壓軌高達1200V,@25C的驅動電流能力為4A沉/源.整個輸入-輸出延時為75ns.

主要用在中高功率應用包括工業應用中的電源轉換,馬達驅動器逆變器.

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    100 V    

Id-連續漏極電流:    40 A    

Rds On-漏源導通電阻:    19.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    17 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    78 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 2  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   18 S  

下降時間:   4 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   21 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   16 ns  

典型接通延遲時間:   11 ns  

零件號別名:  BSC252N1NSFGXT SP000379608 BSC252N10NSFGATMA1  

單位重量:  120.780 mg  

輕質AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業應用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。

CISSOID的IPM技術平臺可迅速適應新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉換器的設計，從而實現了高效率和高功率密度。

嵌入式柵級驅動器解決了與快速開關SiC晶體管有關的多個挑戰：例如用負驅動和有源米勒鉗位（AMC）來防止寄生導通.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）