單獨的沉和源選擇使得容易配置柵極驅動,4A米勒鉗位引腳選擇,器件具有UVLO功能,柵極驅動電壓高達26V,3.3 V, 5 V TTL/CMOS帶滯后的輸入,溫度關斷保護,待機功能,6kV電流隔離,寬體SO-8W封裝.

此項高溫芯片和模塊技術平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統（電機、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應成本大幅降低，并實現最佳能源效率。

工作電壓1.71V-3.8V,工作溫度-40C 到125C.主要應用包括IoT多協議設備,照明,家庭連接,網關和數字助理,建筑物自動化和安全.

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

商標名: OptiMOS

封裝: Reel

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

產品類型: MOSFET

子類別: MOSFETs

零件號別名: BSC109N10NS3 G SP000778132

器件集成了32位ARM® Cortex®-M33核,最大工作頻率80MHz,有多達1024KB閃存和96KB RAM,12路外設反射系統使得MCU外設能自主互動,集成了2.4GHz 發送功率高達20dBm的功率放大器(PA),4x4 QFN封裝中有強健的外設集合和多達20個GPIO.

器件具有高性能接收器: -104.5 dBm靈感度@ 250 kbps O-QPSK DSSS,-97.5 dBm靈敏度@ 1 Mbit/s GFSK,-94.4 dBm靈敏度@ 2 Mbit/s GFSK和-104.9 dBm靈感度@ 125 kbps GFSK.器件支部的調制格式有GFSK和OQPSK.支持的協議包括藍牙低功耗(藍牙5),ZigBee和Thread.

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