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新型液冷IPM功率模塊電流能力的針翅基板及擴頻通信系統

發布時間:2021/4/28 7:08:51 訪問次數:353

Yole Development的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用需求一直推動著結溫的升高,目前已達到150℃。

第三代寬禁帶半導體器件(如SiC)已走過了從出現發展到已日趨成熟并全面商業化普及的路徑,其獨特的耐高溫性能正在推動結溫加速從目前的150℃邁向175℃,未來將進軍200℃。

采用針翅基板(Pin Fin Baseplate)的新型液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA450AA),此次我們還推出了具有更高電流能力的針翅基板,以及液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA550CA).

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 60 A

Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 22 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 28 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1

單位重量: 100 mg


器件具有高度線性度,整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.

主要用在寬帶系統包括無線基礎設備數字和擴頻通信系統, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛星地面調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設備.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

Yole Development的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用需求一直推動著結溫的升高,目前已達到150℃。

第三代寬禁帶半導體器件(如SiC)已走過了從出現發展到已日趨成熟并全面商業化普及的路徑,其獨特的耐高溫性能正在推動結溫加速從目前的150℃邁向175℃,未來將進軍200℃。

采用針翅基板(Pin Fin Baseplate)的新型液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA450AA),此次我們還推出了具有更高電流能力的針翅基板,以及液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA550CA).

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 60 A

Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 22 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 28 S

下降時間: 4 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1

單位重量: 100 mg


器件具有高度線性度,整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.

主要用在寬帶系統包括無線基礎設備數字和擴頻通信系統, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛星地面調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設備.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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