新型液冷IPM功率模塊電流能力的針翅基板及擴頻通信系統
發布時間:2021/4/28 7:08:51 訪問次數:353
Yole Development的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用需求一直推動著結溫的升高,目前已達到150℃。
第三代寬禁帶半導體器件(如SiC)已走過了從出現發展到已日趨成熟并全面商業化普及的路徑,其獨特的耐高溫性能正在推動結溫加速從目前的150℃邁向175℃,未來將進軍200℃。
采用針翅基板(Pin Fin Baseplate)的新型液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA450AA),此次我們還推出了具有更高電流能力的針翅基板,以及液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA550CA).
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 28 S
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1
單位重量: 100 mg
器件具有高度線性度,整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
主要用在寬帶系統包括無線基礎設備數字和擴頻通信系統, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛星地面調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設備.
Yole Development的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用需求一直推動著結溫的升高,目前已達到150℃。
第三代寬禁帶半導體器件(如SiC)已走過了從出現發展到已日趨成熟并全面商業化普及的路徑,其獨特的耐高溫性能正在推動結溫加速從目前的150℃邁向175℃,未來將進軍200℃。
采用針翅基板(Pin Fin Baseplate)的新型液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA450AA),此次我們還推出了具有更高電流能力的針翅基板,以及液冷IPM功率模塊(CXT-PLA3SA550CA).
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 28 S
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1
單位重量: 100 mg
器件具有高度線性度,整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
主要用在寬帶系統包括無線基礎設備數字和擴頻通信系統, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛星地面調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設備.