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可編程壓擺率控制和BEMF檢測電路實現無傳感器操作

發布時間:2021/5/2 10:35:40 訪問次數:639

Bourns電流檢測電阻測量精度較高加上相對較低的成本,因此越來越受歡迎,這些電阻可偵測電流并轉換為易于測量的電壓,該電壓與流經該設備的電流乃成正比。

Bourns® CSM2F系列有四種不同封裝尺寸:6918、8518、7036和全新8536公制尺寸,并推出兩種新的終端表面處理-全電鍍電極及裸銅電極兩款全新表面處理樣式。

新型「完全電鍍」型號在材料沖壓后,再經過鍍錫處理以產生保護層,該保護層在負載壽命測試受益后可提供增強的性能、長期穩定性和較低的電阻漂移。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: GaN

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

長度: 4.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.9 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 5.8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5.8 ns

工廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 29 ns

典型接通延遲時間: 6.7 ns

零件號別名: BSO064N03SXT

單位重量: 540 mg

RAJ306001和RAJ306010電機控制IC的關鍵特性.

MCU和前置驅動器集成在單個8mmx8mm QFN封裝中,包括電荷泵、線性穩壓器、電流檢測、可編程壓擺率控制和BEMF檢測電路,可實現無傳感器操作.

高度集成優化電路板尺寸并降低控制系統BOM成本.

支持6-30V(RAJ306001)和6-42V(RAJ306010)電壓工作范圍.

SADT發生器可使MOSFET在較低溫度下保持高效率運行.

無傳感器電機控制可實現從低速到高速旋轉的穩定運行,并可免除使用霍爾IC.

集成安全功能,包括IEC 60730安全標準支持,可檢測錯誤并在發生錯誤時停止電機運行.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

Bourns電流檢測電阻測量精度較高加上相對較低的成本,因此越來越受歡迎,這些電阻可偵測電流并轉換為易于測量的電壓,該電壓與流經該設備的電流乃成正比。

Bourns® CSM2F系列有四種不同封裝尺寸:6918、8518、7036和全新8536公制尺寸,并推出兩種新的終端表面處理-全電鍍電極及裸銅電極兩款全新表面處理樣式。

新型「完全電鍍」型號在材料沖壓后,再經過鍍錫處理以產生保護層,該保護層在負載壽命測試受益后可提供增強的性能、長期穩定性和較低的電阻漂移。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: GaN

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 12 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

長度: 4.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 3.9 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 5.8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5.8 ns

工廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 29 ns

典型接通延遲時間: 6.7 ns

零件號別名: BSO064N03SXT

單位重量: 540 mg

RAJ306001和RAJ306010電機控制IC的關鍵特性.

MCU和前置驅動器集成在單個8mmx8mm QFN封裝中,包括電荷泵、線性穩壓器、電流檢測、可編程壓擺率控制和BEMF檢測電路,可實現無傳感器操作.

高度集成優化電路板尺寸并降低控制系統BOM成本.

支持6-30V(RAJ306001)和6-42V(RAJ306010)電壓工作范圍.

SADT發生器可使MOSFET在較低溫度下保持高效率運行.

無傳感器電機控制可實現從低速到高速旋轉的穩定運行,并可免除使用霍爾IC.

集成安全功能,包括IEC 60730安全標準支持,可檢測錯誤并在發生錯誤時停止電機運行.


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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