寬帶寬分時觀測路徑接收器以適應不同的控制器板
發布時間:2021/5/3 8:40:19 訪問次數:304
四個獨立發射器使用直接變頻調制器,可在低功耗下實現低噪聲運行.
該器件還包括兩個寬帶寬分時觀測路徑接收器,每個接收器具有兩路輸入,用于監測發射器輸出.完整的收發器子系統包括自動和手動衰減控制,直流失調校正,正交誤差校正 (QEC) 以及數字濾波功能.
它還集成了模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC)和用于提供各種數字控制選項的通用輸入/輸出 (GPIO)接口.
主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.
制造商:Nexperia 產品種類:肖特基二極管與整流器 產品:Schottky Rectifiers 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSN-1006-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:1 A Vrrm - 重復反向電壓:30 V Vf - 正向電壓:415 mV Ifsm - 正向浪涌電流:10 A Ir - 反向電流 :300 uA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 端接類型:SMD/SMT 類型:Low VF MEGA Schottky Barrier Rectifier 商標:Nexperia Pd-功率耗散:1.78 W 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量10000 子類別:Diodes & Rectifiers Vr - 反向電壓 :30 V 零件號別名:934068753315 單位重量:0.400 mg
NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有優越的開關性能和更高的可靠性.
更低的開態(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統尺寸.
其板上輔助電源系統提供了板上所需的所有電源,從而不需要板外DC電源.同時還提供靈活的控制接口,以適應不同的控制器板.
四個獨立發射器使用直接變頻調制器,可在低功耗下實現低噪聲運行.
該器件還包括兩個寬帶寬分時觀測路徑接收器,每個接收器具有兩路輸入,用于監測發射器輸出.完整的收發器子系統包括自動和手動衰減控制,直流失調校正,正交誤差校正 (QEC) 以及數字濾波功能.
它還集成了模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC)和用于提供各種數字控制選項的通用輸入/輸出 (GPIO)接口.
主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.
制造商:Nexperia 產品種類:肖特基二極管與整流器 產品:Schottky Rectifiers 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSN-1006-2 配置:Single 技術:Si If - 正向電流:1 A Vrrm - 重復反向電壓:30 V Vf - 正向電壓:415 mV Ifsm - 正向浪涌電流:10 A Ir - 反向電流 :300 uA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 端接類型:SMD/SMT 類型:Low VF MEGA Schottky Barrier Rectifier 商標:Nexperia Pd-功率耗散:1.78 W 產品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數量10000 子類別:Diodes & Rectifiers Vr - 反向電壓 :30 V 零件號別名:934068753315 單位重量:0.400 mg
NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有優越的開關性能和更高的可靠性.
更低的開態(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統尺寸.
其板上輔助電源系統提供了板上所需的所有電源,從而不需要板外DC電源.同時還提供靈活的控制接口,以適應不同的控制器板.
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