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900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET不需要板外DC電源

發布時間:2021/5/3 18:13:08 訪問次數:854

機器的運轉都會產生振動,有些振動代表運行正常,而有些振動則表示故障的初始信號。

在預測維護領域,檢測振動特征是診斷過程的關鍵因素,通過振動檢測可以確定并緩解問題,以免發生更嚴重的事件。美國菲力爾通過感應、放大和測量細微運動,使用戶可以看到工廠資產(例如機器)上的振動特征,保障機器的正常運行。

傳統檢測機器震動的方法是在機器上部署有線傳感器(例如接觸式加速計)監視出現的振動。

在從傳感器獲取數據后,對該數據進行工作振型分析,以呈現機器運動的動畫模型,從而使振動模式可視化。


制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel®

零件狀態 有源

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 18A(Ta),80A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 5 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 PG-TDSON-8-5

封裝/外殼 8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss) 30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V

基本產品編號 BSC050

NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有優越的開關性能和更高的可靠性.


6.6 kW車載充電器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB參考設計采用NVHL060N090SC1器件,單片高邊和低邊柵極驅動器FAN7191 F085,650V N溝功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔離大電流和高效率IGBT驅動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓撲,系統效率高達97%,以及提供硬件OCP和OVP.

其板上輔助電源系統提供了板上所需的所有電源,從而不需要板外DC電源.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

機器的運轉都會產生振動,有些振動代表運行正常,而有些振動則表示故障的初始信號。

在預測維護領域,檢測振動特征是診斷過程的關鍵因素,通過振動檢測可以確定并緩解問題,以免發生更嚴重的事件。美國菲力爾通過感應、放大和測量細微運動,使用戶可以看到工廠資產(例如機器)上的振動特征,保障機器的正常運行。

傳統檢測機器震動的方法是在機器上部署有線傳感器(例如接觸式加速計)監視出現的振動。

在從傳感器獲取數據后,對該數據進行工作振型分析,以呈現機器運動的動畫模型,從而使振動模式可視化。


制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel®

零件狀態 有源

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 18A(Ta),80A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 5 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 PG-TDSON-8-5

封裝/外殼 8-PowerTDFN

漏源電壓(Vdss) 30V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V

基本產品編號 BSC050

NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有優越的開關性能和更高的可靠性.


6.6 kW車載充電器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB參考設計采用NVHL060N090SC1器件,單片高邊和低邊柵極驅動器FAN7191 F085,650V N溝功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔離大電流和高效率IGBT驅動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓撲,系統效率高達97%,以及提供硬件OCP和OVP.

其板上輔助電源系統提供了板上所需的所有電源,從而不需要板外DC電源.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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