Iris M的革命性非接觸式視頻處理系統，該系統使用FLIR機器視覺相機感應、放大和測量機器引起的細微振動，消除了使用早期技術本身固有的缺陷。

Iris M系統使用裝在Vanguard三腳架上的FLIR 2.3Mpixel Grasshoppper3相機，此相機以默認分辨率為1920x1050、速度為120幀/秒的規格獲取單色圖像數據。

從相機獲取的數據將通過USB 3.0接口傳輸到平板電腦上，在此使用公司專用軟件進行分析，使用戶可以看到工廠資產（例如機器）上的振動特征。

產品種類: MOSFET  

RoHS:  詳細信息  

技術: Si  

安裝風格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續漏極電流: 100 A  

Rds On-漏源導通電阻: 3.1 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V  

Qg-柵極電荷: 130 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 2.5 W  

通道模式: Enhancement  

商標名: OptiMOS  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

封裝: Reel  

配置: Single  

高度: 1.27 mm  

長度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值: 50 S  

下降時間: 16 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 161 ns  

工廠包裝數量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 63 ns  

典型接通延遲時間: 38 ns  

零件號別名: BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1  

單位重量: 100 mg

同時還提供靈活的控制接口,適應不同的控制器板.用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉換器.

更低的開態(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統尺寸.

器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關.配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發生.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）