數據包切換器PI7C9X3G808GP整合式緩沖器具低功耗操作
發布時間:2021/5/4 22:53:10 訪問次數:770
PCIe® 3.0 數據包切換器PI7C9X3G808GP，能夠提供現代數據中心、云端運算、網絡附加儲存設備 (NAS) 和電信基礎設施所要求的高效能參數。
這款數據包切換器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及儲存和轉發 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的數據包轉發延遲。
此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:8.5 A Rds On-漏源導通電阻:19.5 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:14.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 系列: 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:27 S 下降時間:7 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:7 ns 零件號別名:SI4920DY-T1-E3-S 單位重量:506.600 mg
器件具有硬件安全引擎(HSE)和先進的功能安全性硬件和軟件,工作溫度-40C 到105C ,滿足規范AEC-Q100 Grade 2.
器件有助于加速開發先進駕駛輔助系統(ADAS)和自主駕駛系統,并支持用于服務取向的網關,ECU整合和安全應用的高級操作系統.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
PCIe® 3.0 數據包切換器PI7C9X3G808GP，能夠提供現代數據中心、云端運算、網絡附加儲存設備 (NAS) 和電信基礎設施所要求的高效能參數。
這款數據包切換器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及儲存和轉發 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的數據包轉發延遲。
此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
制造商:Vishay 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:8.5 A Rds On-漏源導通電阻:19.5 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:14.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 系列: 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:3.9 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:27 S 下降時間:7 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:7 ns 零件號別名:SI4920DY-T1-E3-S 單位重量:506.600 mg
器件具有硬件安全引擎(HSE)和先進的功能安全性硬件和軟件,工作溫度-40C 到105C ,滿足規范AEC-Q100 Grade 2.
器件有助于加速開發先進駕駛輔助系統(ADAS)和自主駕駛系統,并支持用于服務取向的網關,ECU整合和安全應用的高級操作系統.
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