ROHM通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提高到了業內超高的8V。ADAQ23875 μModule®數據采集解決方案(DAQ)。

ADAQ23875采用系統級封裝 (SIP) 技術，通過將多個通用信號處理和調理模塊整合在一個器件中，減少了終端系統元件數量，縮短了精密測量系統開發周期。

Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪聲全差分模數轉換器 (ADC) 驅動器、穩定的參考緩沖器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。

制造商:Rectron 產品種類:穩壓二極管 Vz - 齊納電壓:13 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓溫度系數:11 mV/C Zz - 齊納阻抗:30 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長度:3.05 mm 寬度:1.4 mm 商標:Rectron Ir - 反向電流 :0.1 uA 產品類型:Zener Diodes 工廠包裝數量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV

數據中心和基站等的48V輸入降壓轉換器電路基站功率放大器單元的升壓轉換器電路 D類音頻放大器 LiDAR驅動電路、便攜式設備的無線充電電路.

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料硅相比，具有更優異的物理性能，目前利用其高頻特性的應用已經開始增加。

可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。工作所需的電壓稱為“驅動電壓”，當施加了高于特定閾值的電壓時，GaN HEMT將處于被動工作狀態。