集成式有源EMI濾波器有助于檢測并降低150 kHz至10 MHz低頻頻帶上的傳導EMI，從而使工程師能夠將EMI減少高達50 dBμV（在440 kHz的開關頻率下，相對于禁用AEF的設計）或20 dBμV（相對于采用典型無源濾波器的設計）。

在這兩種設計方案中，DRSS技術都有助于在低頻和高頻頻帶上將EMI進一步降低5 dBμV。

為了進一步降低EMI，這兩款降壓控制器的工作頻率均與外部時鐘同步，從而幫助工程師在EMI敏感型應用中降低不良拍頻。

MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯的元器件數量，節省PCB空間。此外，作為p溝道器件，SQJA81EP可簡化柵極驅動設計，無需配置n溝道器件所需的電荷泵。

 MOSFET采用無鉛（Pb）封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100 % Rg和UIS測試。

器件可在+175 °C高溫下工作，滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鷗翼引線結構還有助于提高自動光學檢測（AOI）功能，消除機械應力，提高板級可靠性。

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