輸入ESD器件受損驅動器的GND和控制芯片GND偏置電壓
發布時間:2021/5/18 13:14:55 訪問次數:525
輸入負壓的場景與對MOSFET進行電流采樣相關。為了實現更精確的控制,有時在功率MOSFET和大地之間會接一個采樣電阻.
這樣驅動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅動器的輸入端,則有一個負向的偏置電壓。
對于寄生電感引起的輸入瞬間負壓,一般有三種應對方案。可以通過減小開關速度來降低影響,減小開關速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負壓幅度也就會下降。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V, +/- 16 V GBP-增益帶寬產品:1 MHz 每個通道的輸出電流:40 mA SR - 轉換速率 :600 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :3 mV 電源電壓-最小:3 V, +/- 1.5 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:100 nA 工作電源電流:1.2 mA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 長度:5 mm 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術:Bipolar 寬度:4 mm 商標:ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:540 mg
負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。
在典型的低邊柵極驅動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,但一些情況下,由于驅動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。
高di/dt的電流在流經MOSFET及其板級回路時,寄生電感存在會導致驅動器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升,驅動器的輸入和地之間就相當于出現一個瞬間負壓。
在極端情況下,可能造成驅動器內部 ,驅動器出現失效。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
輸入負壓的場景與對MOSFET進行電流采樣相關。為了實現更精確的控制,有時在功率MOSFET和大地之間會接一個采樣電阻.
這樣驅動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅動器的輸入端,則有一個負向的偏置電壓。
對于寄生電感引起的輸入瞬間負壓,一般有三種應對方案。可以通過減小開關速度來降低影響,減小開關速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負壓幅度也就會下降。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V, +/- 16 V GBP-增益帶寬產品:1 MHz 每個通道的輸出電流:40 mA SR - 轉換速率 :600 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :3 mV 電源電壓-最小:3 V, +/- 1.5 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:100 nA 工作電源電流:1.2 mA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 長度:5 mm 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術:Bipolar 寬度:4 mm 商標:ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:540 mg
負向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。
在典型的低邊柵極驅動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,但一些情況下,由于驅動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。
高di/dt的電流在流經MOSFET及其板級回路時,寄生電感存在會導致驅動器的地電位相對于控制器地電位瞬間抬升,驅動器的輸入和地之間就相當于出現一個瞬間負壓。
在極端情況下,可能造成驅動器內部 ,驅動器出現失效。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)