新型TVS二極管的設計工作電壓5V響應電壓6.8V
發布時間:2021/6/26 12:21:01 訪問次數:1149
10款適用于工業設備開關電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產品。
共提供三種類型的封裝： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。
此外，它們繼承了現有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷[2]的值（開關應用的品質因數）。
超小型的高功率TVS(瞬態抑制)二極管，進一步擴展了I/O接口的雙向過壓保護元件的產品組合。
新元件采用芯片級封裝，尺寸僅為400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封裝高度也極低，僅為100μm。
新型TVS二極管的設計工作電壓為5V，響應電壓為6.8 V。
在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
10款適用于工業設備開關電源的新一代80 V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產品。
共提供三種類型的封裝： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。
此外，它們繼承了現有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷[2]的值（開關應用的品質因數）。
超小型的高功率TVS(瞬態抑制)二極管，進一步擴展了I/O接口的雙向過壓保護元件的產品組合。
新元件采用芯片級封裝，尺寸僅為400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封裝高度也極低，僅為100μm。
新型TVS二極管的設計工作電壓為5V，響應電壓為6.8 V。
在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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