20V的boost輸出電壓采用電感器DCR監控功耗的解決方案
發布時間:2021/6/30 22:20:08 訪問次數:971
MAX17291可提供高達20V的boost輸出電壓,與最接近的競爭方案相比,靜態電流降低80%,方案尺寸減小60%。
該升壓轉換器非常適合負載(例如顯示器或傳感器)要求較高供電電壓的電池供電系統。
MAX38911與最接近的競爭方案相比,MAX38911 500mA LDO的尺寸減小高達50%,適用于電池供電IoT系統,空閑模式下的耗流僅為19μA,將電池壽命延長高達10%。
器件具有業界最佳電源抑制比(PSRR),比最接近的競爭產品改善16dB,有助于避免關鍵功能(例如高精度測量和通信電路)受嘈雜電源的干擾。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 緩沖器和線路驅動器
RoHS: 詳細信息
輸入線路數量: 8 Input
輸出線路數量: 3 Output
極性: Inverting
高電平輸出電流: - 32 mA
低電平輸出電流: 64 mA
電源電壓-最大: 5.25 V
電源電壓-最小: 4.75 V
工作電源電流: 200 nA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QSOP-20
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
功能: Buffer/Line Driver
高度: 1.5 mm
長度: 8.75 mm
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
輸出類型: 3-State
系列: CY74FCT240T
技術: CMOS
寬度: 4 mm
商標: Texas Instruments
邏輯系列: FCT
邏輯類型: CMOS
通道數量: 8
輸入信號類型: Single-Ended
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 4.75 V to 5.25 V
產品類型: Buffers & Line Drivers
傳播延遲時間: 4.8 ns at 5 V
工廠包裝數量: 2500
子類別: Logic ICs
單位重量: 125.800 mg
SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93 %以上。輕載時可啟用二極管仿真模式,提高全負載范圍的效率。
采用電感器DCR監控功耗的解決方案,電流報告精度為7 %,而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進行檢測,精度誤差小于3 %。
從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(SoC)性能,改進熱管理。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
MAX17291可提供高達20V的boost輸出電壓,與最接近的競爭方案相比,靜態電流降低80%,方案尺寸減小60%。
該升壓轉換器非常適合負載(例如顯示器或傳感器)要求較高供電電壓的電池供電系統。
MAX38911與最接近的競爭方案相比,MAX38911 500mA LDO的尺寸減小高達50%,適用于電池供電IoT系統,空閑模式下的耗流僅為19μA,將電池壽命延長高達10%。
器件具有業界最佳電源抑制比(PSRR),比最接近的競爭產品改善16dB,有助于避免關鍵功能(例如高精度測量和通信電路)受嘈雜電源的干擾。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 緩沖器和線路驅動器
RoHS: 詳細信息
輸入線路數量: 8 Input
輸出線路數量: 3 Output
極性: Inverting
高電平輸出電流: - 32 mA
低電平輸出電流: 64 mA
電源電壓-最大: 5.25 V
電源電壓-最小: 4.75 V
工作電源電流: 200 nA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QSOP-20
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
功能: Buffer/Line Driver
高度: 1.5 mm
長度: 8.75 mm
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
輸出類型: 3-State
系列: CY74FCT240T
技術: CMOS
寬度: 4 mm
商標: Texas Instruments
邏輯系列: FCT
邏輯類型: CMOS
通道數量: 8
輸入信號類型: Single-Ended
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 4.75 V to 5.25 V
產品類型: Buffers & Line Drivers
傳播延遲時間: 4.8 ns at 5 V
工廠包裝數量: 2500
子類別: Logic ICs
單位重量: 125.800 mg
SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93 %以上。輕載時可啟用二極管仿真模式,提高全負載范圍的效率。
采用電感器DCR監控功耗的解決方案,電流報告精度為7 %,而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進行檢測,精度誤差小于3 %。
從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(SoC)性能,改進熱管理。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)