使用Si襯底生產的功率半導體，它們的器件結構不同。IGBT比其他功率半導體的成本更低，但存在需要續流二極管才能工作（需要雙芯片結構才能工作）、關斷損耗較大的課題.

與IGBT相比，SJ-MOSFET無需續流二極管即可工作（單芯片結構即可工作），而且關斷損耗較小，但存在難以應對大功率的問題。作為一項突破，IGBT的續流二極管采用SiC SBD 而非傳統的Si-FRD，推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。

開通損耗是在元件ON時產生的損耗，關斷損耗是在元件OFF時產生的損耗。

制造商: STMicroelectronics

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: SiC

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: HiP-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續漏極電流: 119 A

Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V

Qg-柵極電荷: 157 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 200 C

Pd-功率耗散: 565 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

晶體管類型: 1 N-Channel

商標: STMicroelectronics

下降時間: 38 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 16 ns

工廠包裝數量: 600

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 58 ns

典型接通延遲時間: 26 ns

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