140dB的高動態范圍(HDR)汽車圖像傳感器更小的電路板
發布時間:2021/7/9 23:35:08 訪問次數:497
MasterGaN電力系統級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅動器，并內置了所有的必備的保護功能。
設計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設備直連MasterGaN器件。
輸入兼容3.3V-15V邏輯信號，有助于簡化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。
GaN技術正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發展。
一個聯合解決方案，該方案經過預先調校，可為開發人員節省長達三個月的調校工作。
該解決方案包括OmniVision的OX03C10，據稱它是世界上唯一一款結合了3.0μm大像素、高達140dB的高動態范圍（HDR）傳感器的汽車圖像傳感器，可將運動偽影降至最低，并具有最高的LED閃爍緩解（LFM）性能。
這款傳感器集成了OmniVision的HALE（HDR和LFM引擎）組合算法，獨特地同時提供了最高的HDR和LFM性能，同時其Deep Well雙轉換增益技術可顯著降低運動偽影。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
MasterGaN電力系統級封裝(SiP)系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和配套的高壓柵極驅動器，并內置了所有的必備的保護功能。
設計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設備直連MasterGaN器件。
輸入兼容3.3V-15V邏輯信號，有助于簡化電路設計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。
GaN技術正在推進USB-PD適配器和智能手機充電器向快充方向發展。
一個聯合解決方案，該方案經過預先調校，可為開發人員節省長達三個月的調校工作。
該解決方案包括OmniVision的OX03C10，據稱它是世界上唯一一款結合了3.0μm大像素、高達140dB的高動態范圍（HDR）傳感器的汽車圖像傳感器，可將運動偽影降至最低，并具有最高的LED閃爍緩解（LFM）性能。
這款傳感器集成了OmniVision的HALE（HDR和LFM引擎）組合算法，獨特地同時提供了最高的HDR和LFM性能，同時其Deep Well雙轉換增益技術可顯著降低運動偽影。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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