新型微溝槽技術靜態損耗較之IGBT4芯片低得多
發布時間:2021/7/14 18:42:25 訪問次數:375
相比前幾代產品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現對電機驅動應用的高可控性。
結合此新型芯片技術的所有模塊均設計成與上一代TRENCHSTOP IGBT4模塊引腳向下兼容。這有助于制造商縮短針對全新逆變器平臺的設計周期。
TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新型微溝槽技術，靜態損耗較之IGBT4芯片低得多，其導通電壓降低了20%。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:2.4 A Rds On-漏源導通電阻:380 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標:ON Semiconductor 正向跨導 - 最小值:4 S 下降時間:10 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數量:1500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:13 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:29.570 mg
內建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數量，有助于降低 BOM 成本。
此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
切換器中嵌入了多個直接內存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機 (或多部主機) 與相連的端點之間通訊作業效率。
先進的電源管理能力，代表這款切換器符合最嚴格的節能要求。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相比前幾代產品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現對電機驅動應用的高可控性。
結合此新型芯片技術的所有模塊均設計成與上一代TRENCHSTOP IGBT4模塊引腳向下兼容。這有助于制造商縮短針對全新逆變器平臺的設計周期。
TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新型微溝槽技術，靜態損耗較之IGBT4芯片低得多，其導通電壓降低了20%。
制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續漏極電流:2.4 A Rds On-漏源導通電阻:380 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標:ON Semiconductor 正向跨導 - 最小值:4 S 下降時間:10 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:14 ns 工廠包裝數量:1500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:13 ns 典型接通延遲時間:7 ns 單位重量:29.570 mg
內建的 PCIe 3.0 時鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數量，有助于降低 BOM 成本。
此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業界獨一無二的產品。可以使用三種參考頻率選項：通用、獨立參考無擴頻 (SRNS) 及獨立參考擴頻 (SRIS)。
切換器中嵌入了多個直接內存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機 (或多部主機) 與相連的端點之間通訊作業效率。
先進的電源管理能力，代表這款切換器符合最嚴格的節能要求。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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