100dB的動態行交疊HDR與MOS管漏極磁珠同時使用
發布時間:2021/7/16 17:56:20 訪問次數:783
800萬像素圖像傳感器SC850SL，以4K高分辨率提升攝像頭成像清晰度以及捕捉圖像細節能力，無論是白晝還是夜晚，均可在視野寬闊的場景中清晰捕捉人臉及車牌等后端需求關鍵信息，實現高清4K影像。
SC850SL不僅能夠支持高達100dB的動態行交疊HDR（Staggered HDR），還可在保有800萬高分辨率的同時，支持思特威創新的PixGain HDR®，從而有效解決攝像頭捕捉運動物體場景中HDR合成帶來的鬼影問題。
Cds通過Rdson放電，Ld、Ls和Lg不參與諧振.
在PFC MOS管的漏極（D極）串聯磁珠，由于磁珠表現為高頻阻抗特性，用于抑制快速開關機時MOS引起的串聯諧振。
為了解決因PFC MOS引起的EMC問題，通常在PFC MOS管的漏-源極（D-S極）間并聯(47~220) pF的高壓電容，為了避免與MOS內部的寄生電感引起振蕩，盡量不增加此電容。若因EMC必需增加時，需與MOS管漏極磁珠同時使用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
800萬像素圖像傳感器SC850SL，以4K高分辨率提升攝像頭成像清晰度以及捕捉圖像細節能力，無論是白晝還是夜晚，均可在視野寬闊的場景中清晰捕捉人臉及車牌等后端需求關鍵信息，實現高清4K影像。
SC850SL不僅能夠支持高達100dB的動態行交疊HDR（Staggered HDR），還可在保有800萬高分辨率的同時，支持思特威創新的PixGain HDR®，從而有效解決攝像頭捕捉運動物體場景中HDR合成帶來的鬼影問題。
Cds通過Rdson放電，Ld、Ls和Lg不參與諧振.
在PFC MOS管的漏極（D極）串聯磁珠，由于磁珠表現為高頻阻抗特性，用于抑制快速開關機時MOS引起的串聯諧振。
為了解決因PFC MOS引起的EMC問題，通常在PFC MOS管的漏-源極（D-S極）間并聯(47~220) pF的高壓電容，為了避免與MOS內部的寄生電感引起振蕩，盡量不增加此電容。若因EMC必需增加時，需與MOS管漏極磁珠同時使用。
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