850nm波段下大幅提升54.9% MOS管導通電阻為Rdson
發布時間:2021/7/16 17:54:05 訪問次數:1044
SC850SL作為思特威首顆Stack的Rolling Shutter產品，采用Stack BSI架構設計輔以新一代工藝雙重升級，使圖像傳感器的感度大幅提升，相較于業內同類產品，感光度提升15%。
SC850SL還采用思特威創新的超低噪聲外圍讀取電路技術，成像噪聲大幅優化，相較于業內同類產品，讀取噪聲（RN）與固定噪聲（FPN）分別降低69%與59%，實現優異的夜視全彩成像。
SC850SL搭載思特威全新的第二代近紅外感度NIR+技術，QE（量子效率）顯著提升，相較前代NIR+技術，在850nm波段下大幅提升54.9%，940nm波段下提升79.6%。
MOS管除了3個極之間的Cgd、Cds和Cgs寄生電容外，在G極、D極和S極分別串有寄生電感Lg、Ld和Ls，這些寄生電感主要由MOS管的引腳材質和引腳長度決定，它們是真實存在的。
在米勒平臺期間，Cds、Cds(ext)及Cgd放電，放電能量儲存在Ld、Ls和Lg中.
當為了改善電路的EMI時，通常在MOS管D、S間并聯高壓電容，在此為了模擬實驗，采用Cds(ext) 470 pF來說明，MOS管導通電阻為Rdson。
PFC二極管D2的反向恢復電流通路為：D2經Ld和Rdson，再到Ls。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
SC850SL作為思特威首顆Stack的Rolling Shutter產品，采用Stack BSI架構設計輔以新一代工藝雙重升級，使圖像傳感器的感度大幅提升，相較于業內同類產品，感光度提升15%。
SC850SL還采用思特威創新的超低噪聲外圍讀取電路技術，成像噪聲大幅優化，相較于業內同類產品，讀取噪聲（RN）與固定噪聲（FPN）分別降低69%與59%，實現優異的夜視全彩成像。
SC850SL搭載思特威全新的第二代近紅外感度NIR+技術，QE（量子效率）顯著提升，相較前代NIR+技術，在850nm波段下大幅提升54.9%，940nm波段下提升79.6%。
MOS管除了3個極之間的Cgd、Cds和Cgs寄生電容外，在G極、D極和S極分別串有寄生電感Lg、Ld和Ls，這些寄生電感主要由MOS管的引腳材質和引腳長度決定，它們是真實存在的。
在米勒平臺期間，Cds、Cds(ext)及Cgd放電，放電能量儲存在Ld、Ls和Lg中.
當為了改善電路的EMI時，通常在MOS管D、S間并聯高壓電容，在此為了模擬實驗，采用Cds(ext) 470 pF來說明，MOS管導通電阻為Rdson。
PFC二極管D2的反向恢復電流通路為：D2經Ld和Rdson，再到Ls。
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