單個氮化鎵晶體管實現3.6千瓦(kW)輸出功率和集成低側驅動器
發布時間:2021/7/17 7:08:23 訪問次數:285
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術，此技術適用的應用領域非常廣泛，包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。
在100V工作時，此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率，打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比，Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能，同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。
制造商:Texas Instruments 產品種類:板上安裝溫度傳感器 RoHS: 詳細信息 輸出類型:Analog 配置:Local 準確性:+/- 2 C 電源電壓-最小:4 V 電源電壓-最大:30 V 接口類型:- 分辨率:- 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 關閉:No Shutdown 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-92-3 封裝:Bulk 輸出電流:10 mA 產品:Temperature Sensors 系列:LM35 商標:Texas Instruments 增益:10 mV / C 工作電源電流:91.5 uA 產品類型:Temperature Sensors 工廠包裝數量:1800 子類別:Sensors 單位重量:1 g
用于衛星電源管理系統的塑料封裝抗輻射（rad-hard）設備的新系列。
這四款新器件包括ISL71001SLHM/SEHM負載點 (POL) 降壓穩壓器、ISL71610SLHM和ISL71710SLHM數字隔離器，以及ISL73033SLHM100V GaN FET 和集成低側驅動器。
新產品組合將抗輻射保證水平與塑料封裝的電路板面積節省和成本優勢相結合，為具有更長壽命要求的中/地球同步地球軌道 (MEO/GEO) 以及小型衛星 ( smallsats) 和更高密度的電子設備，同時降低尺寸、重量和功耗 (SWaP) 成本。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)技術，此技術適用的應用領域非常廣泛，包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科研和醫療系統。
在100V工作時，此項技術通過單個氮化鎵晶體管即可實現3.6千瓦(kW)的輸出功率，打破了射頻功率的性能屏障。
與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比，Integra的100V氮化鎵技術使設計師能夠大幅提高系統的功率水平和功能，同時還能采用更低功率的組合電路來簡化系統架構。
制造商:Texas Instruments 產品種類:板上安裝溫度傳感器 RoHS: 詳細信息 輸出類型:Analog 配置:Local 準確性:+/- 2 C 電源電壓-最小:4 V 電源電壓-最大:30 V 接口類型:- 分辨率:- 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 關閉:No Shutdown 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-92-3 封裝:Bulk 輸出電流:10 mA 產品:Temperature Sensors 系列:LM35 商標:Texas Instruments 增益:10 mV / C 工作電源電流:91.5 uA 產品類型:Temperature Sensors 工廠包裝數量:1800 子類別:Sensors 單位重量:1 g
用于衛星電源管理系統的塑料封裝抗輻射（rad-hard）設備的新系列。
這四款新器件包括ISL71001SLHM/SEHM負載點 (POL) 降壓穩壓器、ISL71610SLHM和ISL71710SLHM數字隔離器，以及ISL73033SLHM100V GaN FET 和集成低側驅動器。
新產品組合將抗輻射保證水平與塑料封裝的電路板面積節省和成本優勢相結合，為具有更長壽命要求的中/地球同步地球軌道 (MEO/GEO) 以及小型衛星 ( smallsats) 和更高密度的電子設備，同時降低尺寸、重量和功耗 (SWaP) 成本。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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公網安備44030402000607
