SiC SBD而非傳統的Si-FRD芯片級正弦波收發器大功率問題
發布時間:2021/7/18 8:36:05 訪問次數:996
PTX100R產品，采用了創新的芯片級正弦波收發器架構，與在過去10年沒有取得顯著技術突破的傳統型方波NFC控制器相比，PTX100R在發射功率和靈敏度、精確的波形整型和更低的外圍電路BOM成本等方面，均實現了重大突破。
BBPOS利用PTX100R的技術優勢來開發創新的終端產品設計，顯著減少產品開發周期。
特別是該控制器卓越的射頻性能和超精確的波形整型功能使其更容易設計出符合最新的EMVCo 3.0全球支付終端標準的更嚴格的非接觸接口規范。
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標準LED-SMD
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IGBT比其他功率半導體的成本更低，但存在需要續流二極管才能工作（需要雙芯片結構才能工作）、關斷損耗較大的課題.
與IGBT相比，SJ-MOSFET無需續流二極管即可工作（單芯片結構即可工作），而且關斷損耗較小，但存在難以應對大功率的問題。
作為一項突破，IGBT的續流二極管采用SiC SBD 而非傳統的Si-FRD，推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
PTX100R產品，采用了創新的芯片級正弦波收發器架構，與在過去10年沒有取得顯著技術突破的傳統型方波NFC控制器相比，PTX100R在發射功率和靈敏度、精確的波形整型和更低的外圍電路BOM成本等方面，均實現了重大突破。
BBPOS利用PTX100R的技術優勢來開發創新的終端產品設計，顯著減少產品開發周期。
特別是該控制器卓越的射頻性能和超精確的波形整型功能使其更容易設計出符合最新的EMVCo 3.0全球支付終端標準的更嚴格的非接觸接口規范。
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作為一項突破，IGBT的續流二極管采用SiC SBD 而非傳統的Si-FRD，推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。
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