零電壓諧振谷(ZV-RVS)和突發模式和LTE-M/NB-IOT芯片組
發布時間:2021/7/20 23:23:07 訪問次數:379
模塊內置意法半導體的STM32L462*超低功耗微控制器、GSMA認證的嵌入式SIM (eSIM) 模塊 ST4SIM-200M和LTE-M/NB-IOT芯片組。
eSIM模塊預裝意法半導體授權合作伙伴Truphone的引導程序連接配置文件。該套件具有開箱即用的數據連接功能，并支持遠程SIM卡開通置備和SIM卡無線更新功能。
用戶用USB線連電源或在連接器中裝入三節AAA電池即可啟動開發板，然后再激活eSIM卡，把板卡連接到蜂窩移動網絡，開始開發應用項目。
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: DIP-23
封裝: Tube
高度: 6.05 mm
長度: 29 mm
系列: CIPOS Micro
寬度: 12 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數量: 240
子類別: PMIC - Power Management ICs
商標名: CIPOS
連續諧振模式(CRM)操作,器件還提供先進的零電壓諧振谷(ZV-RVS)和突發模式,一支持整個負載范圍和寬輸出電壓范圍的最高效率.
600V高壓起動單元,保證了快速充電和低待機功耗,支持無負載待機功耗小于75mW.
器件可配置緩升和低落保護,可配置內置軟起動,可配置突發模式進入和退出捎帶小量延遲的電流閾值,可配置過流保護,可配置輸出過壓保護,可配置開關頻率的抖動,可配置傳輸時延補償以得到精確的峰值電流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21無鹵素添加標準.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
模塊內置意法半導體的STM32L462*超低功耗微控制器、GSMA認證的嵌入式SIM (eSIM) 模塊 ST4SIM-200M和LTE-M/NB-IOT芯片組。
eSIM模塊預裝意法半導體授權合作伙伴Truphone的引導程序連接配置文件。該套件具有開箱即用的數據連接功能，并支持遠程SIM卡開通置備和SIM卡無線更新功能。
用戶用USB線連電源或在連接器中裝入三節AAA電池即可啟動開發板，然后再激活eSIM卡，把板卡連接到蜂窩移動網絡，開始開發應用項目。
產品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅動器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: DIP-23
封裝: Tube
高度: 6.05 mm
長度: 29 mm
系列: CIPOS Micro
寬度: 12 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數量: 240
子類別: PMIC - Power Management ICs
商標名: CIPOS
連續諧振模式(CRM)操作,器件還提供先進的零電壓諧振谷(ZV-RVS)和突發模式,一支持整個負載范圍和寬輸出電壓范圍的最高效率.
600V高壓起動單元,保證了快速充電和低待機功耗,支持無負載待機功耗小于75mW.
器件可配置緩升和低落保護,可配置內置軟起動,可配置突發模式進入和退出捎帶小量延遲的電流閾值,可配置過流保護,可配置輸出過壓保護,可配置開關頻率的抖動,可配置傳輸時延補償以得到精確的峰值電流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21無鹵素添加標準.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-2712位模數轉換器 (ADC)參數特點技術封裝
- 11-27三角函數加速器 (TMU)系列
- 11-27單芯片“艙行泊”一體化方案探究
- 11-27CoolSiC肖特基二極管技術參數應用設計
- 11-27納微GaN Safe系列NV6515（650V,32mΩ max）IC
- 11-27臨界導通模式（CrM）詳情
- 11-27GaN HEMT IC+Si MOSFET組合
- 11-26可編程多路復用通用輸入/輸出 (GPIO)
- 11-26全新實時微控制器系列優特點封裝設計
- 11-26新款四維圖艙行泊一體單芯片SoC解決方案
- 11-26Easy1B/2B系列功率模塊優勢特點及應用
- 11-26EiceDriver系列柵極驅動芯片的研究與應用
公網安備44030402000607
