R-Car片上系統（SoC）增添全新產品系列——R-Car Gen3e。新型SoC產品家族擁有六款新產品，為集成駕駛艙域控制器、車載信息娛樂系統（IVI）、數字儀表盤、駕駛員監控系統和LED矩陣燈等需要高質量圖形渲染的入門到中端車載應用打造可擴展陣容。

隨著增強現實導航系統和基于AI的數字汽車助手等應用日益普及，整車廠和一級供應商需要在對更大、更高分辨率顯示器和高性能芯片飛速增長的需求，與不斷飆升的BOM成本及更長的開發時間之間取得平衡。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 31 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 57 S, 29 S

下降時間: 6 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 11 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 23 ns

典型接通延遲時間: 14 ns

零件號別名: IPB2N15N3GXT SP000414740 IPB200N15N3GATMA1

單位重量: 4 g

“GYE系列”（125℃ 4000小時保證）、“GYE系列”（150℃ 1000小時保證）等導電性高分子混合鋁電解電容器，并且向車載、工業設備和通信領域等要求高可靠性的市場提出了解決方案。

這次推出的“GYE系列”的容量相比“GYE系列”高一個級別，尺寸相同卻實現了大容量，由于電容器數量減少，有望使設備變得更輕更小，這將有助于進一步提升電路設計的性能。

保持了“GYE系列”現有產品的高可控性特長，保證了125℃4000小時的耐高溫和長壽命，在耐濕性方面也保證了85℃ 85%RH.2000小時。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）