超高集成度信號鏈系列SoC芯片-TCAS,該系列芯片具備超低功耗、高性能、高精度、高可靠性等優點。

TCAS系列芯片集成了32位ARM® Cortex®-M0高性能內核，最高工作頻率可達48MHz，內置最高64KB FLASH和8KB SRAM。

其內部集成了24bit高精度Sigma-Delta ADC、14bit高速SAR ADC、最高1024倍增益放大的超低噪聲PGA、VDAC、IDAC、TIA、運放等多種模擬前端外設，同時集成了多路UART、SPI、I2C等數字接口外設，支持多種硬件加密算法。

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 晶體管

RoHS: 詳細信息

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-263-3

安裝風格: SMD/SMT

配置: Single

集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

柵極/發射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續集電極電流: 60 A

Pd-功率耗散: 187 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP IGBT

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產品類型: IGBT Transistors

工廠包裝數量: 1000

子類別: IGBTs

商標名: TRENCHSTOP

零件號別名: IGB3N6TXT SP000095765 IGB30N60TATMA1

單位重量: 2 g

可持續提高機器和系統能效的各種連接器。Han®300A模塊成為該系列的最新樣板。通過以更輕的重量實現更大的容量，符合儲能系統的傳統研發目標。

如今的儲能系統通常需要達到200A/800VDC的輸出。而未來更高能量密度的應用則需要300A/1200VDC或更高的傳輸電壓。Han®300A模塊成為相應的適配接口。

Han®300A模塊適用于連接新的儲能單元，并可用于升級現有系統（與Han®200 A模塊插接兼容）。配備防手指觸碰的插針的Han®300A模塊可以直接連接到母線或集成到儲能抽屜中。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）