模塊具有8個數據引腳和一個屏蔽觸點，并允許通過兩條五類線或一條超六類線進行以太網傳輸。

4.9mm×3.9mm的SSOP16小封裝，使其更適用于高集成度方案，幫助工程師大幅節省PCB尺寸和布板空間。NIRS31/NIRS485現已通過CQC及UL認證，隔離耐壓達3kVrms，可滿足各種系統安規需求。

與分立高速光耦隔離方案相比，NIRS31集成度更高，數據速率達1Mbps，在滿足性能指標的同時節省了更多成本。與485接收器加光耦的分立方案相比，NIRS485簡單易用，使其不僅節省了電路板尺寸，也大幅節省了客戶的物料管理成本。

制造商: Infineon

產品種類: IGBT 晶體管

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-263-3

安裝風格: SMD/SMT

配置: Single

集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

柵極/發射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續集電極電流: 40 A

Pd-功率耗散: 170 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: HighSpeed 3

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標: Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產品類型: IGBT Transistors

工廠包裝數量: 1000

子類別: IGBTs

商標名: TRENCHSTOP

零件號別名: IGB2N6H3XT SP000852232 IGB20N60H3ATMA1

單位重量: 2.200 g

傳感器作為物聯網不可或缺的一部分，被廣泛應用于物聯網終端中。

在基于通用MCU的傳統方案中，不同傳感器的數據采集及處理需要多套電路、多顆芯片來實現，并且性能要求越高，外圍電路的復雜度和成本就越高。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）