EVLMG1-250WLLC是一個標稱400V輸入的電源參考設計，提供一個24V/10A輸出端口，最高能效超過94％。得益于MasterGaN內部集成的安全功能，變換器輸出有短路和過流保護功能。

還具有欠壓保護和輸入電壓監測功能，電壓檢測功能可在多個DC/DC變換器中實現上電排序，防止電動機低壓起動。

意法半導體的MasterGaN系列產品由引腳兼容的集成半橋產品組成，包括對稱和非對稱配置，采用9mm x 9mm的薄型GQFN封裝。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: 172 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 28 S

下降時間: 5 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 40 ns

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: IPB100N04S2-04 SP001058122

單位重量: 4 g

RZ/V2L MPU的關鍵特性

64位Arm® Cortex®-A55（1.2GHz，雙核或單核）內核和Cortex-M33內核

DRP-AI（1TOPS/W級）AI加速器，能夠以每秒28幀（fps）的速度運行Tiny YOLOv2

DRP庫提供機器視覺所需的簡單ISP功能（最高可支持全高清）

16位、單通道DDR內存接口

年內能3D圖形功能（Arm MaliTM-G31 GPU）

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）