MCP1012 AC-DC控制器和SAM D20系列32位單片機的GaN功率器件
發布時間:2021/8/17 19:35:43 訪問次數:575
Inde-Flux技術的Würth Elektronik eiSos變壓器與我們的MCP1012 AC-DC控制器和SAM D20系列32位單片機相結合，為離線電源管理創造了一個獨特的解決方案。
這些器件能夠更簡單、更可靠地實現主元件和輔助元件之間的復雜雙向通信，這些元件用于許多利用離線電源的隔離應用中。
當解決方案用于具有次級側單片機的系統時，客戶可節省高達60%的偏置電源面積，并將偏置電源物料清單成本降低3美元以上。
制造商:Littelfuse 產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 產品類型:TVS Diodes 極性:Bidirectional 工作電壓:40 V 通道數量:1 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC-2 擊穿電壓:44.4 V 鉗位電壓:64.5 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):400 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:30 kV Vesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kV Ipp - 峰值脈沖電流:6.2 A 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Littelfuse Pd-功率耗散:3.3 W 工廠包裝數量5000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes Vf - 正向電壓:3.5 V 單位重量:61 mg
這些650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用于要求嚴格的高可靠性軍事、航空電子和太空應用，是諸如電源、電機控制和半橋拓撲等應用的理想之選。
這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低電感GaNPX®封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開關、快速且可控制的下降和上升時間、反向電流能力等等。
最高可靠性的航空等應用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項目設計的客戶真正受益。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Inde-Flux技術的Würth Elektronik eiSos變壓器與我們的MCP1012 AC-DC控制器和SAM D20系列32位單片機相結合，為離線電源管理創造了一個獨特的解決方案。
這些器件能夠更簡單、更可靠地實現主元件和輔助元件之間的復雜雙向通信，這些元件用于許多利用離線電源的隔離應用中。
當解決方案用于具有次級側單片機的系統時，客戶可節省高達60%的偏置電源面積，并將偏置電源物料清單成本降低3美元以上。
制造商:Littelfuse 產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 產品類型:TVS Diodes 極性:Bidirectional 工作電壓:40 V 通道數量:1 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC-2 擊穿電壓:44.4 V 鉗位電壓:64.5 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):400 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:30 kV Vesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kV Ipp - 峰值脈沖電流:6.2 A 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Littelfuse Pd-功率耗散:3.3 W 工廠包裝數量5000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes Vf - 正向電壓:3.5 V 單位重量:61 mg
這些650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用于要求嚴格的高可靠性軍事、航空電子和太空應用，是諸如電源、電機控制和半橋拓撲等應用的理想之選。
這些器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低電感GaN®封裝，提供大于100 Mhz的超高頻率開關、快速且可控制的下降和上升時間、反向電流能力等等。
最高可靠性的航空等應用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項目設計的客戶真正受益。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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