在驅動用在全橋和半橋PLD模塊內有一個專用計數器記錄空包數
發布時間:2021/8/28 16:47:51 訪問次數:373
當計數到188時,表示一個數據包接收完成。當一個包的數據接收完之后,計數器清零,并置ts188,保持高電平一個時鐘周期。
下一個周期檢測數據是否為0x47,如果是,說明是下一個數據包的邊界;否則,說明出現了錯誤,并重新回到上一段所說的檢測數據包邊界的狀態。
此外,PLD模塊內會有一個專用計數器記錄空包數,當接收到數據包后,會首先檢測此數據包是否為空包,如果是空包,PLD模塊會把這個空包刪除,并在計數器中加1。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerDI3333-8 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:7.2 A Rds On-漏源導通電阻:18 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg
電路還穩定驅動器的偏壓軌,因此在各種工作條件下,保護了潛在的柵-源過壓.
NCP51820提供了重要的保護功能如單獨的欠壓鎖住(UVLO),監測VDD偏壓和VDDH和VDDL驅動器偏壓以及基于芯片結溫的熱關斷(TSD).
可編的死區時間控制能防止交叉導通.
NCP51820主要用在驅動用在全橋和半橋,LLC,有源箝位反激和正激,圖騰柱PFC和同步整流器拓撲的GaN功率晶體管,工業逆變器和馬達驅動以及AC/DC轉換器.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
當計數到188時,表示一個數據包接收完成。當一個包的數據接收完之后,計數器清零,并置ts188,保持高電平一個時鐘周期。
下一個周期檢測數據是否為0x47,如果是,說明是下一個數據包的邊界;否則,說明出現了錯誤,并重新回到上一段所說的檢測數據包邊界的狀態。
此外,PLD模塊內會有一個專用計數器記錄空包數,當接收到數據包后,會首先檢測此數據包是否為空包,如果是空包,PLD模塊會把這個空包刪除,并在計數器中加1。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerDI3333-8 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續漏極電流:7.2 A Rds On-漏源導通電阻:18 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:810 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數量3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:30 mg
電路還穩定驅動器的偏壓軌,因此在各種工作條件下,保護了潛在的柵-源過壓.
NCP51820提供了重要的保護功能如單獨的欠壓鎖住(UVLO),監測VDD偏壓和VDDH和VDDL驅動器偏壓以及基于芯片結溫的熱關斷(TSD).
可編的死區時間控制能防止交叉導通.
NCP51820主要用在驅動用在全橋和半橋,LLC,有源箝位反激和正激,圖騰柱PFC和同步整流器拓撲的GaN功率晶體管,工業逆變器和馬達驅動以及AC/DC轉換器.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)