低邊或高邊或半橋驅動器用于對IGBT柵極電容進行充電和放電
發布時間:2021/8/29 10:46:22 訪問次數:1134
在輸入邊接收3.3V到20V偏壓和信號電平, 輸出邊高達32V偏壓.器件的峰值輸出電流為±6.5 A或, ±3.5 A.可配置成兩路低邊或兩路高邊或半橋驅動器.
可編重疊或死區時間控制,短路時IGBT/MOSFET柵極箝位,精密匹配的短時延,所有電源的嚴密UVLO閾值,3.3V,5V和15V邏輯輸入.
1200V工作電壓(per VDE0884−11規范),高共模瞬態免疫,滿足汽車規范AEC−Q100和 PPAP功能,器件是無鉛,無鹵/無BFR,和RoHS兼容.
光耦合器用于在逆變器或電機驅動應用中提供高壓增強的電絕緣和噪聲隔離，通常可提供高輸出電流的柵極驅動光耦合器通常用于對IGBT的柵極電容進行充電和放電，以將IGBT接通或關斷。
很快。驅動更高功率的IGBT時，有時會使用電流緩沖器。
NCx5725y系列(NCD57252,NCD57253,NCD57255, NCD57256,NCV57252, NCV57253,NCV57255, NCV57256)是大電流兩路隔離IGBT/MOSFET柵極驅動器,輸入到每個輸出的內部電流為隔離2.5或5 kVrms,同時功能隔離在兩個輸出通路.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
在輸入邊接收3.3V到20V偏壓和信號電平, 輸出邊高達32V偏壓.器件的峰值輸出電流為±6.5 A或, ±3.5 A.可配置成兩路低邊或兩路高邊或半橋驅動器.
可編重疊或死區時間控制,短路時IGBT/MOSFET柵極箝位,精密匹配的短時延,所有電源的嚴密UVLO閾值,3.3V,5V和15V邏輯輸入.
1200V工作電壓(per VDE0884−11規范),高共模瞬態免疫,滿足汽車規范AEC−Q100和 PPAP功能,器件是無鉛,無鹵/無BFR,和RoHS兼容.
光耦合器用于在逆變器或電機驅動應用中提供高壓增強的電絕緣和噪聲隔離，通常可提供高輸出電流的柵極驅動光耦合器通常用于對IGBT的柵極電容進行充電和放電，以將IGBT接通或關斷。
很快。驅動更高功率的IGBT時，有時會使用電流緩沖器。
NCx5725y系列(NCD57252,NCD57253,NCD57255, NCD57256,NCV57252, NCV57253,NCV57255, NCV57256)是大電流兩路隔離IGBT/MOSFET柵極驅動器,輸入到每個輸出的內部電流為隔離2.5或5 kVrms,同時功能隔離在兩個輸出通路.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
