GOODRAM HX100移動固態硬盤的技術參數推動對車用半導體需求
發布時間:2021/8/31 21:58:48 訪問次數:1739
隨著汽車系統電氣化、自動駕駛和互連趨勢的發展，制造商希望為駕駛員提供他們尋求已久的高級功能和用戶體驗，這也推動了對車用半導體的需求。
這款內存專為 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Zen4 Genoa 高性能處理器設計，頻率為 DDR5-4800MHz，單條容量 16GB-32GB，且支持高階抗硫化技術。
這些產品為電力電子系統設計人員提供了多種性能優勢，包括接近于零的反向恢復電流、高浪涌保護能力和175°C的最大工作結溫，因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡化熱管理的應用。
制造商:Cypress Semiconductor產品種類:靜態隨機存取存儲器RoHS: 存儲容量:2 Mbit組織:128 k x 16訪問時間:10 ns接口類型:Parallel電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V電源電流—最大值:90 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-44封裝:Tray存儲類型:SDR系列:類型:Asynchronous商標:Cypress Semiconductor端口數量:1濕度敏感性:Yes產品類型:SRAM270子類別:Memory & Data Storage單位重量:453.250 mg
GOODRAM HX100 移動固態硬盤的技術參數：
總線接口：PCIe 3.0 x4
連接器：USB 3.2 Type-C 10Gbps
存儲類型：TLC NAND 閃存顆粒
容量：256BG / 512GB / 1TB
順序讀取：最大 950 MB/s
順序寫入：最大 900 MB/s
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝） 隨著汽車系統電氣化、自動駕駛和互連趨勢的發展，制造商希望為駕駛員提供他們尋求已久的高級功能和用戶體驗，這也推動了對車用半導體的需求。
這款內存專為 Intel Sapphire Rapids 與 AMD Zen4 Genoa 高性能處理器設計，頻率為 DDR5-4800MHz，單條容量 16GB-32GB，且支持高階抗硫化技術。
這些產品為電力電子系統設計人員提供了多種性能優勢，包括接近于零的反向恢復電流、高浪涌保護能力和175°C的最大工作結溫，因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡化熱管理的應用。
制造商:Cypress Semiconductor產品種類:靜態隨機存取存儲器RoHS: 存儲容量:2 Mbit組織:128 k x 16訪問時間:10 ns接口類型:Parallel電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:3 V電源電流—最大值:90 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOP-44封裝:Tray存儲類型:SDR系列:類型:Asynchronous商標:Cypress Semiconductor端口數量:1濕度敏感性:Yes產品類型:SRAM270子類別:Memory & Data Storage單位重量:453.250 mg
GOODRAM HX100 移動固態硬盤的技術參數：
總線接口：PCIe 3.0 x4
連接器：USB 3.2 Type-C 10Gbps
存儲類型：TLC NAND 閃存顆粒
容量：256BG / 512GB / 1TB
順序讀取：最大 950 MB/s
順序寫入：最大 900 MB/s
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝） 
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