雙路和級聯兩級低噪音放大器(LNA)和大功率硅單刀雙擲(SPDT)開關
發布時間:2021/9/10 12:31:27 訪問次數:614
ADRF5515A是雙路集成了RF,前端多芯片模塊,設計用于時分復用(TDD)應用.器件工作頻率從3.3GHz到4.0GHz.器件可配置成雙路和級聯兩級低噪音放大器(LNA)和大功率硅單刀雙擲(SPDT)開關.
在高增益模式,級聯的兩級LNA和開關提供低噪音1.05dB和3.6GHz時的高增益36dB,而輸出三階交調截取點(OIP3)為35dBm(典型值).
在低增益模式,兩級LNA的一級處于旁通,在低電流48mA時提供17dB增益.
制造商:NJR 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DMP-8 通道數量:1 Channel 電源電壓-最大:16 V GBP-增益帶寬產品:400 kHz SR - 轉換速率 :400 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :2 mV 電源電壓-最小:3 V 最小工作溫度:- 20 C 最大工作溫度:+ 75 C Ib - 輸入偏流:1 pA 工作電源電流:300 uA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:60 dB 系列: 封裝:Reel 放大器類型:General Purpose Amplifier 商標:NJR 高度:1.6 mm 長度:5 mm 工作電源電壓:3 V to 16 V Pd-功率耗散:300 mW 產品:Operational Amplifiers 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 2000 子類別:Amplifier ICs 電源類型:Single 技術:CMOS 商標名: 電壓增益 dB:95 dB 寬度:5 mm
在降功耗模式,LNA關斷,器件僅消耗13mA電流.在發送工作,當RF輸入連接端引腳(TERM-CHA或TERM-CHB),開關提供低插入損耗0.5dB,在整個生命周期工作中處理長期演進技術(LTE)平均功率43dBm(9dB峰值到平均比(PAR)).
器件是RoHS兼容,采用緊湊6mmx6mm 40引腳LFCSP封裝.主要用在無線通信基礎設備,TDD大規模多輸入多輸出有源天線系統以及基于TDD的通信系統.
這其中包括了高壓電源的安全距離限制和絕緣限制，因此也使得AC/DC電源的功率密度提升變得困難。
(素材來源：eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
ADRF5515A是雙路集成了RF,前端多芯片模塊,設計用于時分復用(TDD)應用.器件工作頻率從3.3GHz到4.0GHz.器件可配置成雙路和級聯兩級低噪音放大器(LNA)和大功率硅單刀雙擲(SPDT)開關.
在高增益模式,級聯的兩級LNA和開關提供低噪音1.05dB和3.6GHz時的高增益36dB,而輸出三階交調截取點(OIP3)為35dBm(典型值).
在低增益模式,兩級LNA的一級處于旁通,在低電流48mA時提供17dB增益.
制造商:NJR 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DMP-8 通道數量:1 Channel 電源電壓-最大:16 V GBP-增益帶寬產品:400 kHz SR - 轉換速率 :400 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :2 mV 電源電壓-最小:3 V 最小工作溫度:- 20 C 最大工作溫度:+ 75 C Ib - 輸入偏流:1 pA 工作電源電流:300 uA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:60 dB 系列: 封裝:Reel 放大器類型:General Purpose Amplifier 商標:NJR 高度:1.6 mm 長度:5 mm 工作電源電壓:3 V to 16 V Pd-功率耗散:300 mW 產品:Operational Amplifiers 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 2000 子類別:Amplifier ICs 電源類型:Single 技術:CMOS 商標名: 電壓增益 dB:95 dB 寬度:5 mm
在降功耗模式,LNA關斷,器件僅消耗13mA電流.在發送工作,當RF輸入連接端引腳(TERM-CHA或TERM-CHB),開關提供低插入損耗0.5dB,在整個生命周期工作中處理長期演進技術(LTE)平均功率43dBm(9dB峰值到平均比(PAR)).
器件是RoHS兼容,采用緊湊6mmx6mm 40引腳LFCSP封裝.主要用在無線通信基礎設備,TDD大規模多輸入多輸出有源天線系統以及基于TDD的通信系統.
這其中包括了高壓電源的安全距離限制和絕緣限制，因此也使得AC/DC電源的功率密度提升變得困難。
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